Tag Archives: 背面供電

英特爾詳細揭露 18A 技術優勢，迎戰台積 2 奈米製程
作者 |發布日期 2025 年 06 月 25 日 16:38 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

英特爾在 2025 年 VLSI 技術研討會上發表了一篇論文，詳細介紹 18A 製程技術，並將所有相關資訊整合成一份文件。18A 預期將在功耗、效能與面積（Power, Performance, Area，簡稱 PPA）方面，對比前一代製程顯著提升，包括晶片密度提升 30%、效能提升 25%，在相同效能下功耗降低 36%。 繼續閱讀..

英特爾工程師稱晶圓代工交給台積電是重大錯誤，因 Intel 18A 較 N2 有優勢
作者 |發布日期 2025 年 02 月 19 日 9:45 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

Tom′s Hardware 報導，英特爾與台積電成立合資企業傳言引發分析師、業界和政界人士強烈反應，英特爾首席工程專案經理 Joseph Bonetti 在 LinkedIn 發文個人觀點，認為英特爾將奪回製程領先地位，贏得無晶圓廠晶片商客戶，若將製造業務交給台積電是適得其反。

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全球投資比台積電更積極，英特爾亮大絕招使三星壓力倍增
作者 |發布日期 2023 年 06 月 27 日 9:00 |
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分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

為重返晶片製造領導地位，英特爾來勢洶洶。日前英特爾宣布拆分晶圓代工業務，目標是 2030 年前成為第二大晶圓代工廠，故最近投資相當積極，無論技術面「4 年五製程節點」，還是 2030 年前達成單封裝整合上兆電晶體，都必須有產能與技術支援。以下整理英特爾晶圓代工產能與技術規劃。

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