英特爾 2019 第 4 季業績優於預期，將拉抬台股半導體年後開紅盤 |
作者
Atkinson|發布日期
2020 年 01 月 24 日 17:10 |
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處理器龍頭英特爾（intel）公佈了 2019 年第 4 季及全年財報。報告顯示，英特爾第 4 季營收為 202.09 億美元， 較 2018 年同期的 186.57 億美元成長 8%，淨利潤為 69.05 億美元，與 2018 年同期的 51.95 億美元相較，成長 33%。整體來說，英特爾 2019 年第 4 季營收和調整後每股 EPS 均超出華爾街分析師預期，且預計 2020 年第 1 季和全年業績展望也均超出預期，拉抬其在美股的盤後股價大漲近 5%。
ASML 2019 年獲利近台幣 900 億元，總計出貨逾 2,000 億元 EUV 設備 |
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Atkinson|發布日期
2020 年 01 月 22 日 16:45 |
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半導體微影廠商艾司摩爾 (ASML) 於台北時間 22 日下午公布 2019 年第 4 季與 2019 年年財報。根據財報顯示，2019 年第 4 季銷售淨額 (net sales) 為 40 億歐元 (約新台幣 1,350 億元)，淨收入 (net income) 為 11 億歐元 (約新台幣 371 億元)，毛利率為 48.1%。累計，2019 年度的淨銷售額 118 億歐元 (約新台幣 3,982.5 億元)，淨收入 26 億歐元 (約新台幣 877.5 億元)。
NAND Flash 市況好轉，中國長江存儲直接殺入 128 層堆疊開發 |
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Atkinson|發布日期
2020 年 01 月 17 日 15:45 |
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日前，中國記憶體廠商長江存儲確認自主研發的 64 層堆疊 256Gb TLC NAND Flash 已經在 2019 年投入量產，並正在擴充的產能，將儘早達成約產能 10 萬片的規模，並達到計畫總產能每月 30 萬片的目標。如今，長江存儲再宣布下一個階段的技術發展目標，就是將跳過如今業界常見的 96 層，直接投入 128 層 NAND Flash 的研發工作，不過，暫時沒有具體的目標時間表。
三星跳電事件激勵買方預期性補貨，2020 Q1 DRAM 合約價起漲 |
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TechNews|發布日期
2020 年 01 月 08 日 14:30 |
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據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新調查，隨著近一個月來 DRAM 現貨價格持續走揚，加上 2019 年 12 月 31 日三星華城廠區發生跳電，雖然整體記憶體供給並沒有因此事件受到重大影響，但觀察到各產品別買方備貨意願進一步增強。因此，TrendForce 再次修正 2020 年第一季 DRAM 合約價格預測，由原先的「大致持平」調整為「小漲」，價格正式提前翻轉向上。 繼續閱讀..
記憶體與手機疲軟，三星預期 2019 年第 4 季營業利益下跌 52.9% |
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作者
Atkinson|發布日期
2020 年 01 月 08 日 11:40 |
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南韓三星 8 日凌晨公布 2019 年第 4 季業績預期，因為受目前記憶體市場價格仍維持低檔，加上全球科技產業成長趨緩的影響，預計 2019 年第 4 季營業利益將再次大幅下降，這是三星連續 2 年同期出現下跌。
美光 1z 奈米製程 DDR5 記憶體送客戶試樣，預計 2021 年正式量產 |
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作者
Atkinson|發布日期
2020 年 01 月 07 日 18:45 |
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CES 2020 熱鬧舉行，AMD 與英特爾兩家處理器大廠都在會場發表全新處理器，雖然這些處理器預估還是支援 DDR4 記憶體，但傳輸量越來越大，必須擁有越來越快傳輸速度記憶體，下一代 DDR5 記憶體已開始準備量產。根據外電報導，美商記憶體大廠美光（Micron）7 日正式宣布，開始向客戶出樣最新 DDR5 記憶體，以第 3 代 10 奈米級 1z 奈米製程打造，性能提升 85%。
