新能源車追求高效與輕量化,推動功率半導體由 Si-IGBT 逐步轉向寬能隙材料,GaN 憑藉高頻開關、低損耗與高功率密度,650V 以下電壓平台具優勢,可望於 OBC 與 DC-DC 應用展現優勢,部分車廠開始導入相關產品,相較 SiC 的 800V 高壓領域應用成熟,GaN 的 650V 以下市場成為新興選項,若資源可持續投入、成本持續最佳化與技術可再改良,未來產業有望形成「高壓用 SiC,中低壓用 GaN」互補格局。 繼續閱讀..
氮化鎵功率半導體車用化發展趨勢分析 |
| 作者 拓墣產研|發布日期 2025 年 11 月 05 日 7:00 | 分類 技術分析 , 會員專區 , 汽車科技 |



