中國國家記憶體基地武漢動土，要建 3 座全球最大 3D NAND 廠 |
作者
liu milo|發布日期
2016 年 12 月 30 日 14:07 |
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傾國家之力的中國長江存儲記憶體基地正式於今 30 日開工，而此項目前身為武漢新芯記憶體基地，在今年 3 月底舉行動土典禮，卻在歷經中國紫光與武漢新芯合體後，重新找地建新廠，強調要打造全球單座潔淨室面積最大的 3D NAND Flash 新廠！ 繼續閱讀..
若赴紫光對戰台積電，蔡力行跳槽恐重創台灣半導體產業 |
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作者
Atkinson|發布日期
2016 年 12 月 20 日 17:15 |
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今日產業界最大條新聞，莫屬前台積電總經理暨執行長，剛卸任中華電信董事長的蔡力行傳出即將跳槽中國紫光集團，負責其成都晶圓廠建設，未來統領紫光集團晶圓代工部門業務一事。這事情如果確實，將成為台灣半導體業界，繼之前台塑集團旗下記憶體廠華亞科董事長高啟全之後，又一重量級人物將赴對岸任職的案例。業界指出，相對於 DRAM 市場的弱勢，台灣以台積電為首的晶圓代工產業高居全球一半以上的市佔率，穩居龍頭位置。如果蔡力行真如傳言跳槽中國紫光集團，對台灣半導體產業恐將是一個沉重的打擊。
台積電、中華電信之後，傳蔡力行轉戰紫光協助建 12 吋廠 |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 12 月 20 日 13:09 |
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半年前才續任、任期還有至少一年半，前中華電信董事長蔡力行閃電被撤換引發關注，曾任台積電總經理暨總執行長的蔡力行，在交接典禮上透露不排除重回半導體界，而現在有消息傳出蔡力行將轉戰紫光，協助其在成都建立 12 吋晶圓廠。 繼續閱讀..
南茂宣布終止中國紫光私募入股案，改合資經營上海宏茂子公司 |
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作者
Atkinson|發布日期
2016 年 11 月 30 日 18:00 |
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國內半導體封測廠南茂 30 日宣布暫停交易，並於下午召開重大訊息說明會中宣布，將與中國紫光集團合資經營南茂中國子公司──上海宏茂，並終止與紫光集團的私募計畫。未來，南茂科技全資子公司 ChipMOS TECHNOLOGIES (BVI) LTD. （ChipMOS BVI）將轉讓中國上海全資子公司宏茂微電子的 54.98% 股權，給中國紫光集團等策略投資人。之後，再利用出售股款與所有策略投資人等比例來共同增資上海宏茂微電子，以提供充足的資金協助。
2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體 |
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作者
Atkinson|發布日期
2016 年 10 月 20 日 12:40 |
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隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈，包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續上漲，這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。根據外電的報導，在這波儲存晶片的熱潮下，中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。雖然，這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。
中國目標 2020 年晶片自給率達 40%，長江存儲豪言要包其中四分之一 |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 08 月 31 日 12:22 |
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統籌中國記憶體擘劃的武漢新芯新廠基地在今年 3 月盛大舉行動土，宣告中國本土記憶體發展邁開大步，近期武漢新芯與紫光進一步合體共同建立長江存儲公司，不只紫光董事長趙偉國兼任長江存儲董事長，大基金總經理丁文武更出任副董事長，中國高層對此案重視程度可見一斑，從產能規劃來看，長江存儲在中國晶片自給也佔了重要角色。 繼續閱讀..
高啟全出手，台灣 DRAM 產業恐現逾百人才出走潮 |
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作者
liu milo|發布日期
2016 年 08 月 26 日 10:21 |
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台灣 DRAM 戰將、前華亞科董事長高啟全在去年跳槽中國紫光集團震撼業界，而今赴中國未滿一年，高啟全名字漸漸消失在產業新聞版面，就連先前紫光與武漢新芯合體設立長江存儲，也未聞高啟全消息，不過，根據科技新報取得的資訊，高啟全不只任長江存儲營運長，更謀劃大挖台灣人才，在幾位幹部跳槽過去後，會不會連帶出現台灣 DRAM 人才出走潮同令業界擔憂。 繼續閱讀..
TechNews 科技早報 – 20160802 |
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作者
technewsdaily|發布日期
2016 年 08 月 02 日 8:30 |
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10奈米製程領先英特爾台積電市值4.59兆
市場傳出半導體大廠英特爾（Intel）10奈米製程將於本季試產，預計明年推出10奈米處理器，相較於台積電（2330）將於今年第4季量產、明年…
