Tag Archives: 美光

斷供華為衝擊營收,三星、SK 海力士積極向美申請供貨許可

作者 |發布日期 2020 年 09 月 10 日 16:35 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 會員專區

美國針對華為新一輪制裁生效日期逼近,包括美光、三星、SK 海力士等記憶體廠商都確定不再出貨給華為,據南韓媒體《Etnews》最新報導,半導體產業和南韓政府於 9 日表示,目前包括三星和 SK 海力士都已經向美國商務部申請繼續供貨給華為,原因是華為占三星及 SK 海力士很高營收比例。

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美光開記憶體第一槍斷供華為,恐波及 DRAM 族群

作者 |發布日期 2020 年 09 月 02 日 9:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件

記憶體大廠美光(Micron)已證實,將自 9 月 14 日之後停止供貨給華為,這意味美方新禁令效應,已由手機晶片延伸至記憶體。在美光開出記憶體第一槍後,法人預期,包括三星、SK 海力士等國外記憶體大廠,以及美光後段封測夥伴力成、南茂,以及國內記憶體廠包括南亞科、旺宏、華邦電等亦將跟進,恐都將受到禁令所波及。

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美光證實 9 月中將斷供華為,預計造成 20 億美元營收損失

作者 |發布日期 2020 年 08 月 31 日 15:00 | 分類 中國觀察 , 國際貿易 , 會員專區

隨著美國政府加強制裁中國華為後,日前晶圓代工龍頭台積電宣布,將自 2020 年 9 月 14 日後,無法再為華為代工麒麟等系列處理器。除台積電外,日前記憶體大廠美光(MIcron)也明確表示,將自 9 月 14 日後開始斷供華為。以 2019 年華為對美光的採購規模來說,預估美光將減少 20 億美元營收。

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疫情推升雲端及遠距需求,2020 年第二季 NAND Flash 營收季增 6.5%

作者 |發布日期 2020 年 08 月 27 日 14:23 | 分類 儲存設備 , 晶圓 , 記憶體

根據 TrendForce 旗下半導體研究處表示,第二季 NAND Flash 產業營收受惠於遠距服務與雲端需求驟增,帶動 PC、Server 的出貨表現,持續推升 SSD 需求量;然而智慧型手機與消費性電子市場尚未自疫情衝擊後恢復,需求仍較前季下跌。第二季位元出貨量及平均銷售單價均較上季微幅增加約 3%,帶動 NAND Flash 產業營收達 145 億美元,季增 6.5%。 繼續閱讀..

2020 年第二季 DRAM 總產值季增 15.4%,然而第三季價格恐反轉向下

作者 |發布日期 2020 年 08 月 19 日 14:00 | 分類 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 旗下半導體研究處表示,2020 年初在 Server DRAM 價格強勢領漲的帶動下,各類 DRAM 價格正式翻揚;即便新冠肺炎(武漢肺炎、COVID-19)疫情在第二季開始蔓延全球,但採購端因擔憂零組件斷貨,並未減少原本預估的訂單量,使 DRAM 供應商出貨量優於預期,進一步激勵整體 DRAM 價格漲幅擴大,推升第二季 DRAM 總產值至 171 億美元,季成長 15.4%。 繼續閱讀..

美光預告新一季營收無法達標,記憶體市況反轉訊號漸趨明顯

作者 |發布日期 2020 年 08 月 14 日 15:20 | 分類 國際貿易 , 手機 , 會員專區

記憶體市況反轉的訊號愈明顯,除市調機構 TrendForce 已提出相關警訊外,全球 3 大 DRAM 記憶體供應商之一美光(Micron),台北時間 14 日清晨一場科技線上會議也表示,雖然 2020 年第 4 季(6~8 月)營收因集中季末,使當季財測維持不變,接下來新財年第 1 季(9~11 月)營收可能難以達成預定的 54 億至 56 億美元營收目標,使股價當天收盤時應聲下挫 4.83%。

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聯電涉福建晉華竊取美光機密案,美地院對 3 名涉案台灣人發通緝

作者 |發布日期 2020 年 06 月 27 日 7:00 | 分類 中國觀察 , 公司治理 , 國際貿易

兩週前才被台灣台中地方法院以竊取商業祕密罪判決有罪的聯電工程師的何建廷與王永銘,加上目前仍在另案調查中,曾經任職台灣美光總經理與聯電副總的中國福建晉華總經理陳正坤,24 日被美國舊金山聯邦地方法院發出通緝令,3 人均被列入美國的通緝犯名單。

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聯電被控助福建晉華竊取美光技術,3 員工判最重 6 年半徒刑,聯電罰款 1 億元

作者 |發布日期 2020 年 06 月 12 日 18:10 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片

晶圓代工大廠聯電之前被控協助中國福建晉華以竊取美商科技大廠美光(Micron)的動態隨機存取記憶體(DRAM)生產技術一案,台中地院 12 日宣判,涉案的戎樂天、何建廷、王永銘等 3 人被處以 4 年半到 6 年半徒刑,而曾經任職台灣美光總經理與聯電副總的中國福建晉華總經理陳正坤,目前另案進行調查外,聯電也被處以新台幣 1 億元罰款。

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首款通過 NASA 驗證 DDR4 記憶體問世,可耐劇烈高低溫差與抵抗輻射

作者 |發布日期 2020 年 05 月 29 日 16:45 | 分類 尖端科技 , 會員專區 , 航太科技

日前,FPGA 大廠賽靈思(Xilinx)宣布推出業界首款 20 奈米航太規格 FPGA,為衛星和太空應用提供全面的抗輻射性、超高傳輸量與頻寬效能,現在業界首款獲得美國太空總署(NASA)認證的 DDR4 記憶體也正式推出。這款記憶體可承受最高 125℃、最低 -55℃ 的劇烈溫度變化,並能抵抗太空輻射,符合 NASA Level 1(NASA EEE-INST-002 – Section M4 – PEMs)、ECSS Class 1(ECSS-Q-ST-60-13C)標準。

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