Tag Archives: ASML

財務狀況吃緊，英特爾延後俄亥俄園區一期晶圓廠落成時間至 2030 年
作者 |發布日期 2025 年 03 月 02 日 10:00 |
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分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

英特爾日前宣布，對位於俄亥俄州園區的建設時間表進行重大修改。該園區廠原定於 2025 年完工，之後第一階段興建的晶圓廠產線進入新製程的研發與生產階段。然而，在該園區經過這第三次大幅延後時間之後，第一階段晶圓廠完工的時間將將來到 2030 年，量產晶片的時間則是在 2030~2031 年。英特爾強調，其對該園區興建的承諾沒有改變，市場需求允許下加速建設。

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英特爾領先業界啟用 High-NA EUV，至今處理超過 3 萬片晶圓
作者 |發布日期 2025 年 02 月 27 日 10:50 |
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分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

路透社報導，處理器大廠英特爾 (Intel) 日前產業會議透露，開始用兩台艾司摩爾（ASML）High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 微影曝光機。英特爾工程師 Steve Carson 表示，奧勒岡州 Hillsborough 附近 D1 工廠開始用 ASML 兩台 High-NA EUV，至今處理達 3 萬片晶圓。

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荷蘭政府不再揭露 ASML 中國銷售資訊，防止追溯特定公司
作者 |發布日期 2025 年 01 月 22 日 12:00 |
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分類 中國觀察 , 半導體 , 國際貿易

路透社報導，荷蘭政府 2023 年9 月起不揭露微影曝光大廠艾司摩爾 (ASML) 中國銷售狀況。此政策從未報導，原因是備受關注，因荷蘭政府以往會公布有潛在軍事用途的「兩用」商品出口資訊。此政策施行後，代表靠此數據了解各國軍事能力的專家與單位，不能再掌握詳細狀況。

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俄國計劃自研 EUV 設備，比 ASML 系統更便宜、容易製造
作者 |發布日期 2024 年 12 月 19 日 17:54 |
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分類 半導體 , 材料、設備

綜合外媒 CNews、Tom′s Hardware 報導，俄羅斯已公布自主開發曝光機的路線圖，目標是打造比 ASML 系統更經濟且更複雜的設備。這些曝光機將採用波長為 11.2 奈米的雷射光源，而非 ASML 使用的標準 13.5 奈米波長。因此，新技術無法與現有 EUV 基礎設施相容，需要俄羅斯自行開發配套的曝光生態系統，可能需要數年甚至十年以上時間。 繼續閱讀..

Rapidus 北海道廠分四階段安裝 EUV 曝光機，拚 2027 年量產
作者 |發布日期 2024 年 12 月 19 日 10:33 |
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分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備

日本半導體新創 Rapidus 成為日本首間獲得極紫外線（EUV）曝光設備的公司，目前已開始在北海道千歲市在建晶圓廠安裝設備。該公司執行長小池淳義（Atsuyoshi Koike）18 日在新千歲機場舉行的典禮上表示，將從北海道和日本向全球提供最先進半導體。 繼續閱讀..

具俄羅斯背景 ASML 前員工遭控竊取機密，遭荷蘭拘留並處 20 年入境禁令
作者 |發布日期 2024 年 12 月 10 日 15:30 |
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分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓

根據荷蘭媒體 NOS 的報導，一名具有俄羅斯背景的 ASML 前員工，因為涉嫌竊取 ASML 重要晶片文件檔而被荷蘭政府拘留。同時，荷蘭庇護和移民局近日已對該 ASML 前員工實施了 20 年的入境禁令。報導表示，過去荷蘭很少實施此類禁令，通常只針對涉及國家安全的案件才會做出此等措施。

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