三星電子（Samsung Electronics Co.）與 IBM Corp.攜手合作，朝 7 奈米先進製程跨進了一大步！
IBM 攜三星推全球首顆 7 奈米晶片，採 EUV 技術 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 07 月 09 日 15:10 |
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Tag Archives: 晶片
賽靈思投產業界首款 All Programmable 多重處理系統晶片，採用台積電 16 奈米技術 |
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TechNews|發布日期
2015 年 07 月 03 日 12:35 |
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美商賽靈思（Xilinx, Inc.） 3 日宣布正式投產採用台積公司 16 FF+（16 奈米 FinFET+）製程技術的業界首款 All Programmable 多重處理系統晶片（MPSoC），並瞄準先進駕駛輔助系統（ADAS）及自動駕駛車輛發展、工業物聯網（I-IoT）和 5G 無線通訊系統等嵌入式視覺應用。All Programmable Zynq® UltraScale+™ MPSoC 元件以業界標準為基礎開發具高度靈活性的平台，可提供五倍系統級功耗效能比和所有形式的連接功能，更具備新一代系統所需的保密性和安全性。
聯發科 LTE 基頻處理器出頭天！Q1 市佔全球第二 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 07 月 02 日 14:10 |
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聯發科在 LTE 基頻處理器市場表現搶眼，今年第 1 季（1-3 月）在全球拿下雙位數的市佔率，鞏固了第二地位！
iPhone 6s 電池續航力變優？傳採高通 9X35 速度倍增 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 07 月 02 日 8:20 |
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蘋果（Apple）次代智慧手機產品「iPhone 6s / iPhone 6s Plus」又有新情報流出！繼 1 日傳出據稱是 iPhone 6s 的機殼照，顯示 iPhone 6s 外觀設計幾乎同於現行 iPhone 6 之後，最新又流出據稱是 iPhone 6s 主機板（邏輯電路板）的照片，顯示 iPhone 6s 可能將搭載傳輸速度更快、更省電的高通（Qualcomm）「MDM9635M（別名「9X35」）」 LTE Advanced Cat 6 數據機晶片。
Sony 4.6 吋旗艦機規格曝光，採用聯發科 X10 晶片 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 06 月 29 日 11:02 |
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搭載高通（Qualcomm）驍龍（Snapdragon）810 處理器的 Sony 旗艦智慧手機 Xperia Z4（國際版稱Xperia Z3+）在日本開賣後，傳出易過熱、電池續航力不佳、充電出問題等災情，也讓 Z4 在日本的人氣急凍！而現在一款 Sony 旗艦版智慧手機產品曝光，且該款產品沒使用高通晶片，而是採用台灣聯發科 X10 處理器。 繼續閱讀..
良率出包？傳英特爾 10 奈米 Cannonlake 架構大延期 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 06 月 29 日 8:50 |
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BenchLife.info 23 日報導，英特爾原先預計在 2016 年以 10 奈米製程技術的「Cannonlake」架構處理器接替 Skylake 平台，不過計畫趕不上變化，據傳 Cannonlake 已確定延後，英特爾將改用與 Skylake 同為 14 奈米製程的 Kaby Lake 架構來墊檔。 繼續閱讀..
高通傳急推驍龍 820，年底問世 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 06 月 26 日 10:00 |
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高通（Qaulcomm）「驍龍（Snapdragon）810」處理器頻傳過熱，把業者搞得滿頭包。高通力挽狂瀾，可能會加快腳步推出新版八核處理器「驍龍 820」，外傳宏達電、小米、LG 新旗艦機或許都會採用。
聯發科十核心報喜！中國智慧手機搶先搭載 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 06 月 23 日 10:40 |
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高通（Qualcomm Inc.）競爭對手聯發科傳出喜訊！快科技（原驅動之家）22 日報導，聯發科 5 月發布的全球首款十核心處理器 Helio X20（即 MT6797）已獲中國手機品牌 Elephone 採納，將內建於全新旗艦智慧型手機 P9000，預定 2015 年 10 月 20 日就會開賣。
聯電攜 ARM 完成 14 奈米 FinFET 製程測試 IC 設計定案 |
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MoneyDJ|發布日期
2015 年 06 月 22 日 17:00 |
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全球晶圓專工大廠聯電 22 日宣布，與全球 IP 矽智財授權廠商 ARM 合作，基於聯電 14 奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程生產的 PQV 測試晶片已經設計定案（tape out），代表 ARM Cortex-A 系列處理器核心通過聯電高階晶圓製程驗證，此 14 奈米合作案延續自雙方成功將 ARM Artisan 實體 IP 整合至聯電 28 奈米高介電金屬閘極（High K / Metal gate）量產製程。聯電指出，14 奈米 FinFET 製程已展現卓越的 128mb SRAM 產品良率，並預計於 2015 年底接受客戶設計定案。
