三星力拚有「夢想製程」之稱的 1 奈米 2029 年量產 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 04 月 11 日 14:45 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶圓 | edit 媒體 Sedaily 報導,三星 2 奈米 GAA 進展順利,但三星目標是 1 奈米製程。最新報告指出,三星已成立團隊負責計畫,但還需要一段時間才能看到 1 奈米應用,因量產時間是 2029 年。 繼續閱讀..
財務狀況吃緊,英特爾延後俄亥俄園區一期晶圓廠落成時間至 2030 年 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 03 月 02 日 10:00 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體 | edit 英特爾日前宣布,對位於俄亥俄州園區的建設時間表進行重大修改。該園區廠原定於 2025 年完工,之後第一階段興建的晶圓廠產線進入新製程的研發與生產階段。然而,在該園區經過這第三次大幅延後時間之後,第一階段晶圓廠完工的時間將將來到 2030 年,量產晶片的時間則是在 2030~2031 年。英特爾強調,其對該園區興建的承諾沒有改變,市場需求允許下加速建設。 繼續閱讀..
英特爾領先業界啟用 High-NA EUV,至今處理超過 3 萬片晶圓 作者 Atkinson|發布日期 2025 年 02 月 27 日 10:50 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit 路透社報導,處理器大廠英特爾 (Intel) 日前產業會議透露,開始用兩台艾司摩爾(ASML)High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 微影曝光機。英特爾工程師 Steve Carson 表示,奧勒岡州 Hillsborough 附近 D1 工廠開始用 ASML 兩台 High-NA EUV,至今處理達 3 萬片晶圓。 繼續閱讀..
英特爾:首批兩台 High-NA EUV 設備已投產,初期數據表現良好 作者 林 妤柔|發布日期 2025 年 02 月 25 日 9:42 | 分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備 | edit 英特爾 24 日表示,ASML 首批的兩台先進曝光機已投產,早期數據顯示比之前機型更可靠。 繼續閱讀..
從三星與 SK 海力士調整 EUV 策略,看出兩家公司經營處境 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 12 月 31 日 11:00 | 分類 Samsung , 公司治理 , 半導體 | edit 韓國兩大半導體大廠三星和 SK 海力士對極紫外線(EUV)微影技術採取不同策略,引起業界關注。兩家 EUV 不同政策正值高度市場競爭時刻,能看出各自處境。 繼續閱讀..
AI 晶片需求快速成長,推動台積電積極部署與發展 High-NA EUV 製程 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 18 日 16:45 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體 | edit 媒體報導,先前市場消息指出,台積電已經於 2024 年 9 月份從荷蘭半導體設備商艾司摩爾 (ASML) 接收首套高數值孔徑 (High-NA) 極紫外線 (EUV) 曝光機-EXE:5000。這代表著台積電對這項先進半導體技術不斷變化的立場,從一開始持謹慎,到後來全面發展採用,為的就是保持其在競爭激烈的半導體產業中維持領先地位,也因應 AI 晶片對先進製程需求的快速成長。 繼續閱讀..
台積電年底前獲首套 High-NA EUV,生產領先 2 奈米兩代製程 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 11 月 04 日 16:45 | 分類 半導體 , 材料、設備 | edit 日經亞洲的報導,全球最大半導體製造商台積電 (TSMC) 年底前會收到 ASML 最先進微影曝光機。高數值孔徑極紫外 (High NA EUV) 微影曝光機每台售價超過 3.5 億美元,能使半導體製造商製造電晶體線寬更小的晶片。 繼續閱讀..
ASML:High NA EUV 組裝加速,英特爾裝完第二套 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 10 月 09 日 21:20 | 分類 半導體 , 材料、設備 | edit ASML 新任執行長 Christophe Fouquet 出席 SPIE 大會演講時,介紹 High NA EUV 曝光機,也確認英特爾第二套 High NA EUV 曝光機組裝完成。 繼續閱讀..
台積電本月引進 High-NA EUV 曝光機,韓媒指三星落後加大 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 09 月 11 日 13:10 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit 韓國媒體 BusinessKorea 引述台灣媒體的報導指出,晶圓代工龍頭台積電將於 9 月底從荷蘭 ASML 公司接收第一套 High-NA EUV 曝光機──EXE:5000,這對對於全球領先台積電來說是一個重要的里程碑,但是對競爭對手三星來說,無疑地將拉大兩家公司的競爭差距。 繼續閱讀..
台積電搶先三星收到 High-NA EUV,ASML 還給折扣 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 09 月 10 日 10:40 | 分類 半導體 , 材料、設備 | edit 進入 2 奈米以下埃米時代後,ASML 高數值孔徑極紫外光 (High-NA EUV) 曝光機就成為先進製程半導體廠的關鍵。英特爾 4 月宣佈業界首套 High-NA EUV 組裝完成後,台積電月底也會引進首套 High-NA EUV,較外界猜測年底提前一季,也超車很想搶在台積電前面的三星。 繼續閱讀..
High-NA EUV 競爭時代來臨,三星力拚比台積電早到貨 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 08 月 16 日 13:10 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶圓 | edit 月初英特爾執行長 Pat Gelsinger 於 2024 年第二季財報會議透露,美國俄勒岡州半導體研發基地即將迎接第二套 High-NA EUV 進駐,很快就會入廠。這是 2023 年底 ASML 交貨英特爾第一套 High-NA EUV、今年 4 月組裝完成後,英特爾購入的第二套 High-NA EUV。 繼續閱讀..
新 EUV 時代來臨,imec 以 High-NA EUV 展示邏輯與 DRAM 架構 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 08 月 09 日 9:20 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 | edit 比利時微電子研究中心(imec)在荷蘭 Eindhoven 與艾司摩爾(ASML)合作的高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室,利用數值孔徑 0.55 極紫外光曝光機,發表曝光後圖形化元件結構。 繼續閱讀..
ASML 第二台 High-NA 設備,即將導入英特爾奧勒岡廠 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 08 月 06 日 10:11 | 分類 半導體 , 材料、設備 | edit 英特爾正接收 ASML 第二台耗資 3.5 億歐元(約 3.83 億美元)的新 High NA EUV 設備。根據英特爾 8/1 財報電話會議紀錄,執行長 Pat Gelsinger 表示,英特爾 12 月開始接收第一台大型設備,安裝時間需要數月,預計可帶來新一代更強大的電腦晶片。 繼續閱讀..
英特爾先進製程推進不打折,Intel 10A 有望 2028 年貢獻產能 作者 Atkinson|發布日期 2024 年 08 月 02 日 15:40 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶圓 | edit 英特爾 Pat Gelsinger 在第二季財報會議再次確認還未官方宣布的先進製程 Intel 10A 的存在。 繼續閱讀..
ASML 攜 Imec 合建實驗室,供客戶測試最新 High NA EUV 設備 作者 林 妤柔|發布日期 2024 年 06 月 05 日 8:09 | 分類 半導體 , 晶圓 , 材料、設備 | edit 全球半導體製造設備龍頭 ASML 週一(3 日)表示,已與比利時晶片研究公司 Imec 合作,於荷蘭 Veldhoven 開設專為 High NA EUV 曝光設備的測試實驗室。 繼續閱讀..