Tag Archives: High-NA EUV

財務狀況吃緊,英特爾延後俄亥俄園區一期晶圓廠落成時間至 2030 年

作者 |發布日期 2025 年 03 月 02 日 10:00 | 分類 IC 設計 , 公司治理 , 半導體

英特爾日前宣布,對位於俄亥俄州園區的建設時間表進行重大修改。該園區廠原定於 2025 年完工,之後第一階段興建的晶圓廠產線進入新製程的研發與生產階段。然而,在該園區經過這第三次大幅延後時間之後,第一階段晶圓廠完工的時間將將來到 2030 年,量產晶片的時間則是在 2030~2031 年。英特爾強調,其對該園區興建的承諾沒有改變,市場需求允許下加速建設。

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英特爾領先業界啟用 High-NA EUV,至今處理超過 3 萬片晶圓

作者 |發布日期 2025 年 02 月 27 日 10:50 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

路透社報導,處理器大廠英特爾 (Intel) 日前產業會議透露,開始用兩台艾司摩爾(ASML)High-NA Twinscan EXE:5000 EUV 微影曝光機。英特爾工程師 Steve Carson 表示,奧勒岡州 Hillsborough 附近 D1 工廠開始用 ASML 兩台 High-NA EUV,至今處理達 3 萬片晶圓。

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AI 晶片需求快速成長,推動台積電積極部署與發展 High-NA EUV 製程

作者 |發布日期 2024 年 11 月 18 日 16:45 | 分類 AI 人工智慧 , IC 設計 , 半導體

媒體報導,先前市場消息指出,台積電已經於 2024 年 9 月份從荷蘭半導體設備商艾司摩爾 (ASML) 接收首套高數值孔徑 (High-NA) 極紫外線 (EUV) 曝光機-EXE:5000。這代表著台積電對這項先進半導體技術不斷變化的立場,從一開始持謹慎,到後來全面發展採用,為的就是保持其在競爭激烈的半導體產業中維持領先地位,也因應 AI 晶片對先進製程需求的快速成長。

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台積電本月引進 High-NA EUV 曝光機,韓媒指三星落後加大

作者 |發布日期 2024 年 09 月 11 日 13:10 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片

韓國媒體 BusinessKorea 引述台灣媒體的報導指出,晶圓代工龍頭台積電將於 9 月底從荷蘭 ASML 公司接收第一套 High-NA EUV 曝光機──EXE:5000,這對對於全球領先台積電來說是一個重要的里程碑,但是對競爭對手三星來說,無疑地將拉大兩家公司的競爭差距。

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台積電搶先三星收到 High-NA EUV,ASML 還給折扣

作者 |發布日期 2024 年 09 月 10 日 10:40 | 分類 半導體 , 材料、設備

進入 2 奈米以下埃米時代後,ASML 高數值孔徑極紫外光 (High-NA EUV) 曝光機就成為先進製程半導體廠的關鍵。英特爾 4 月宣佈業界首套 High-NA EUV 組裝完成後,台積電月底也會引進首套 High-NA EUV,較外界猜測年底提前一季,也超車很想搶在台積電前面的三星。

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High-NA EUV 競爭時代來臨,三星力拚比台積電早到貨

作者 |發布日期 2024 年 08 月 16 日 13:10 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶圓

月初英特爾執行長 Pat Gelsinger 於 2024 年第二季財報會議透露,美國俄勒岡州半導體研發基地即將迎接第二套 High-NA EUV 進駐,很快就會入廠。這是 2023 年底 ASML 交貨英特爾第一套 High-NA EUV、今年 4 月組裝完成後,英特爾購入的第二套 High-NA EUV。

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ASML 第二台 High-NA 設備,即將導入英特爾奧勒岡廠

作者 |發布日期 2024 年 08 月 06 日 10:11 | 分類 半導體 , 材料、設備

英特爾正接收 ASML 第二台耗資 3.5 億歐元(約 3.83 億美元)的新 High NA EUV 設備。根據英特爾 8/1 財報電話會議紀錄,執行長 Pat Gelsinger 表示,英特爾 12 月開始接收第一台大型設備,安裝時間需要數月,預計可帶來新一代更強大的電腦晶片。 繼續閱讀..