Tag Archives: NOR Flash

手機用 OLED 面板滲透率提升，加速 2017 年 NOR Flash 價格漲勢

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 03 月 06 日 15:30 |

分類 Apple , Samsung , 手機

日前，根據平面媒體的報導，由於記憶體大廠美光科技（Micron）計劃處分旗下編碼型快閃記憶體（NOR Flash）事業，將導致供應鏈大洗牌，如此造成包括美系音響大廠，以及歐系車用系統大廠都來台搶產能的情況，使得 NOR Flash 預計 2017 年上半年漲幅將超過 30%。而根據科技新報所掌握到的獨家消息，目前 NOR Flash 缺貨的情況，還包括南韓三星電子用於 AMOLED 的色彩控制上，一年估計要超過 4.8 億顆的需求，更是拉抬 NOR Flash 在 2017 年的漲勢。

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DRAM 與 FLASH 產能吃緊，華邦電有意前往新加坡設廠

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 02 月 24 日 12:30 |

分類國際貿易 , 晶片 , 會員專區

近年來，包括智慧型手機成為 IT 業界的主流商品，加上雲端運算、大數據、物聯網等應用的興起，對於硬體升級需求大增，使得半導體產業的發展持續居高不下。在各國都有發展半導體產業企圖心的情況下，在全球半導體產業供應鏈中扮演關鍵性角色的台灣廠商，自然成為其他國家政府與企業爭相挖角的對象。除了對岸中國對台灣半導體產業覬覦已久之外，根據科技新報所獨家掌握到的消息，新加坡政府近期也對台灣半導體公司頻頻招手，希望能前進新加坡投資設廠。

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美光計畫處分 NOR Flash 業務華邦電被點名可能接手

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 02 月 13 日 10:20 |

分類手機 , 晶片 , 會員專區

根據《經濟日報》的報導，在物聯網 (IoT)、智慧家庭和車聯網等發展趨勢確立與產品應用漸增下，編碼型快閃記憶體（NOR Flash）將自過去的供過於求，轉為供不應求的情況，使得相關併購動作以增加產能的情況也持續進行。在記憶體大廠美光（Micron）即將退出 NOR Flash 業務，全力發展 DRAM 及 NAND FLASH 的情況下，計劃處分旗下 NOR Flash 業務，而最有可能接手的企業就屬華邦電與中國的兆易創新。

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新應用加產能吃緊 NOR Flash 價格將逐季上揚

作者 Atkinson|發布日期 2017 年 01 月 23 日 9:45 |

分類手機 , 晶片 , 會員專區

自 2016 年開始醞釀的一波記憶體漲價潮，在標準型記憶體（DRAM）、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）已經拉出一波漲價之後，編碼型快閃記憶體（NOR Flash）也跟隨著漲價。根據《經濟日報》的報導，國內生產 NOR Flash 的廠商華邦電與旺宏都表示，雖著需求量增大，產能吃緊的情況下，2017 年第 1 季的漲幅將達到 5% 到 7% 不等，而且夏季還可能有超過 10% 的漲價空間，而這也將是近 4 年多來 NOR Flash 的首次漲價。

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合肥記憶體建廠消息曝光，產能規劃超 SK 海力士無錫廠

作者 liu milo|發布日期 2016 年 11 月 16 日 18:32 |

分類晶片 , 會員專區

先前科技新報報導，中國記憶體三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產能，就差合肥團隊還未有相關消息，現在相關招募訊息與環評結果曝光，也透露更多發展訊息。繼續閱讀..

2017 年中國將推自主生產 32 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體

作者 Atkinson|發布日期 2016 年 10 月 20 日 12:40 |

分類 Samsung , 手機 , 晶片

隨著當前智慧型手機、SSD 等產品的市場需求強烈，包括快閃記憶體、記憶體等儲存晶片需求大量成長，近期價格也擺脫低潮，持續上漲，這樣的機會點這也給了中國相關企業介入儲存晶片市場的發展契機。根據外電的報導，在這波儲存晶片的熱潮下，中國本身也將在 2017 年推出 32 層堆疊的 3D NAND 快閃記憶體。雖然，這樣的技術相較南韓三星、日本東芝等國際大廠來說仍有落差，但總是為中國快閃記憶體市場跨出第一步。

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西門子、任天堂雙題材助攻，旺宏第三季轉虧為盈有望？

作者 liu milo|發布日期 2016 年 07 月 28 日 18:40 |

分類手機 , 會員專區

非揮發性記憶體廠旺宏連年虧損，在 2016 年第一季更因每股淨值低於 5 元，打入全額交割股，但在近日與西門子結盟、任天堂新機 NX 將棄光碟片採遊戲卡匣等題材下，股東也對旺宏的營運重啟信心，究竟何時旺宏才能終於轉虧為盈呢？繼續閱讀..

武漢新芯藉 3D NAND Flash 圓中國記憶體夢，能彎道超車還是會彎道翻車？

作者 liu milo|發布日期 2016 年 04 月 18 日 14:31 |

分類晶片 , 會員專區

武漢新芯記憶體基地在 3 月 28 日正式啟動，瞄準記憶體，目標在 2030 年成為月產能 100 萬片的半導體巨人，而一開始武漢新芯鎖定的目標是 NAND Flash，對武漢新芯而言，要用 3D NAND Flash 圓夢，一個躋身記憶體大廠的夢。繼續閱讀..

3 月底武漢新芯新廠動土儀式，中國 NAND Flash 產業邁入新紀元

作者 TechNews|發布日期 2016 年 03 月 21 日 19:00 |

分類中國觀察 , 晶片 , 零組件

中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進行建廠工程，目標最快在 2018 年年初開始生記憶體晶片，初期規劃將以目前最先進的 3D-NAND Flash 為主要策略產品，代表了近兩年來中國極力發展記憶體產業的態勢下，將開始進入新的里程碑。TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 研究協理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產 NOR Flash 為主，月產能約為 2 萬片左右，在 NAND Flash 產業也展現強大的企圖心。繼續閱讀..