Tag Archives: SK 海力士

質疑對手技術領先,三星將公開 10 奈米級製程 DRAM 電路線寬應戰

作者 |發布日期 2021 年 05 月 06 日 21:10 | 分類 Samsung , 國際觀察 , 記憶體

先前媒體報導,仍在 DRAM 市占領先全球的南韓大廠三星,競爭對手持續精進技術,甚至宣布超越三星推出新一代技術產品後,三星開始擔心失去全球龍頭位置。南韓媒體《BusinessKorea》報導,三星準備打破 DRAM 業界傳統,將公布 DRAM 產品電路線寬,以顯示三星技術在對手競爭下持續維持領先。

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日本半導體材料商增加南韓當地工廠產能,避開政府管制滿足市場

作者 |發布日期 2021 年 05 月 05 日 11:45 | 分類 國際貿易 , 材料、設備 , 財經

南韓媒體《BusinessKorea》報導,隨著全球晶片供應吃緊的情況持續,但市場需求仍持續強勁的情況下,日本半導體材料企業正在增加在位在南韓當地工廠的產能,以避免日本政府對南韓施行的出口管制,且還能滿足市場需求。

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英特爾新伺服器+iPhone 13 將量產,SK 海力士可望受惠

作者 |發布日期 2021 年 04 月 16 日 15:10 | 分類 國際貿易 , 處理器 , 記憶體

在 COVID-19 疫情推升居家辦公潮之下,全球個人電腦(PC)需求暴增,對 SK 海力士(SK Hynix)等記憶體大廠是一大利多。南韓券商預期,2021 年,伺服器和行動裝置對記憶體的需求將居高不下,SK 海力士的記憶體業務可望維持高檔水準。 繼續閱讀..

美國恐進一步限制 DUV 出口中國,三星與 SK 海力士憂受衝擊

作者 |發布日期 2021 年 04 月 13 日 17:50 | 分類 國際貿易 , 晶片 , 材料、設備

針對全球性的晶片缺貨問題,美國拜登政府才在 14 日邀集包括美國歐半導體設備大廠,汽車製造廠商、台灣台積電與南韓三星等重量級晶圓代工廠共同參加會議,以討論解決由美國所主導的半導體供應鏈失衡的情況。而在此同時,南韓媒體報導,面對中國積極發展半導體產業的態度,美國政府恐怕不僅將禁止極紫外光(EUV)曝光機的出口到中國,恐怕連浸潤式 ArF 深紫外光(DUV)曝光設備都將被列入禁止出口中國品項。

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SK 海力士 M16 工廠發生化學品外洩,3 名工人送醫但不影響生產

作者 |發布日期 2021 年 04 月 07 日 13:00 | 分類 公司治理 , 國際貿易 , 晶圓

根據南韓媒體 《Ddaily》 的報導,南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK-Hynix) 旗下位在京畿道利川市的 M16 晶圓廠發生在 6 日了化學品外洩事件,過程中導致 3 名工人受傷。不過,3 名受傷工人在送醫後並無大礙,而且晶圓廠產線的生產也沒有受到影響。

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SK 海力士預測儲存未來:3D NAND 600 層以上,DRAM 10 奈米以下

作者 |發布日期 2021 年 03 月 30 日 7:45 | 分類 儲存設備 , 晶片 , 記憶體

最近 IEEE 國際可靠性物理研討會,SK 海力士分享近期和未來技術目標願景。SK 海力士認為,層數增加到 600 層以上,可繼續提高 3D NAND 容量。此外有信心借助極紫外(EUV)光刻技術將 DRAM 技術擴展到 10 奈米以下,以及將記憶體和邏輯晶片整合到同設備,以應付不斷增加的工作負載。 繼續閱讀..

整體供需狀況顯著改善,估第二季 NAND Flash 價格上漲 3%~8%

作者 |發布日期 2021 年 03 月 17 日 14:50 | 分類 儲存設備 , 晶圓 , 記憶體

據 TrendForce 調查,第二季 NAND Flash 供應端在三星(Samsung)、長江存儲(YMTC)、SK 海力士(SK Hynix)與英特爾(Intel)帶領下,仍維持積極擴張態勢,預估位元產出季增長可達近 10%;需求端則是受惠自第一季以來持續有 PC OEM、中國手機品牌廠訂單挹注,以及自第二季起資料中心客戶將恢復採購動能的支撐。然而目前 NAND Flash 控制器供給吃緊的問題仍存,進而刺激買方積極備貨。預期第二季 NAND Flash 價格將自第一季小幅下跌 5%~10%,轉為上漲 3%~8%。目前三星美國德州奧斯汀工廠尚未完全復工,對接下來的控制器供給產生更大隱憂,將使三星 client SSD 供貨能力進一步受限。不排除合約價上漲幅度有超過目前預測的可能。 繼續閱讀..