Tag Archives: SK 海力士

質疑對手技術領先，三星將公開 10 奈米級製程 DRAM 電路線寬應戰
作者 |發布日期 2021 年 05 月 06 日 21:10 |
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分類 Samsung , 國際觀察 , 記憶體

先前媒體報導，仍在 DRAM 市占領先全球的南韓大廠三星，競爭對手持續精進技術，甚至宣布超越三星推出新一代技術產品後，三星開始擔心失去全球龍頭位置。南韓媒體《BusinessKorea》報導，三星準備打破 DRAM 業界傳統，將公布 DRAM 產品電路線寬，以顯示三星技術在對手競爭下持續維持領先。

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日本半導體材料商增加南韓當地工廠產能，避開政府管制滿足市場
作者 |發布日期 2021 年 05 月 05 日 11:45 |
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分類 國際貿易 , 材料、設備 , 財經

南韓媒體《BusinessKorea》報導，隨著全球晶片供應吃緊的情況持續，但市場需求仍持續強勁的情況下，日本半導體材料企業正在增加在位在南韓當地工廠的產能，以避免日本政府對南韓施行的出口管制，且還能滿足市場需求。

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英特爾新伺服器＋iPhone 13 將量產，SK 海力士可望受惠
作者 |發布日期 2021 年 04 月 16 日 15:10 |
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分類 國際貿易 , 處理器 , 記憶體

在 COVID-19 疫情推升居家辦公潮之下，全球個人電腦（PC）需求暴增，對 SK 海力士（SK Hynix）等記憶體大廠是一大利多。南韓券商預期，2021 年，伺服器和行動裝置對記憶體的需求將居高不下，SK 海力士的記憶體業務可望維持高檔水準。 繼續閱讀..

美國恐進一步限制 DUV 出口中國，三星與 SK 海力士憂受衝擊
作者 |發布日期 2021 年 04 月 13 日 17:50 |
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分類 國際貿易 , 晶片 , 材料、設備

針對全球性的晶片缺貨問題，美國拜登政府才在 14 日邀集包括美國歐半導體設備大廠，汽車製造廠商、台灣台積電與南韓三星等重量級晶圓代工廠共同參加會議，以討論解決由美國所主導的半導體供應鏈失衡的情況。而在此同時，南韓媒體報導，面對中國積極發展半導體產業的態度，美國政府恐怕不僅將禁止極紫外光（EUV）曝光機的出口到中國，恐怕連浸潤式 ArF 深紫外光（DUV）曝光設備都將被列入禁止出口中國品項。

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SK 海力士 M16 工廠發生化學品外洩，3 名工人送醫但不影響生產
作者 |發布日期 2021 年 04 月 07 日 13:00 |
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分類 公司治理 , 國際貿易 , 晶圓

根據南韓媒體 《Ddaily》 的報導，南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK-Hynix) 旗下位在京畿道利川市的 M16 晶圓廠發生在 6 日了化學品外洩事件，過程中導致 3 名工人受傷。不過，3 名受傷工人在送醫後並無大礙，而且晶圓廠產線的生產也沒有受到影響。

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SK 海力士預測儲存未來：3D NAND 600 層以上，DRAM 10 奈米以下
作者 |發布日期 2021 年 03 月 30 日 7:45 |
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分類 儲存設備 , 晶片 , 記憶體

最近 IEEE 國際可靠性物理研討會，SK 海力士分享近期和未來技術目標願景。SK 海力士認為，層數增加到 600 層以上，可繼續提高 3D NAND 容量。此外有信心借助極紫外（EUV）光刻技術將 DRAM 技術擴展到 10 奈米以下，以及將記憶體和邏輯晶片整合到同設備，以應付不斷增加的工作負載。 繼續閱讀..

整體供需狀況顯著改善，估第二季 NAND Flash 價格上漲 3%~8%
作者 |發布日期 2021 年 03 月 17 日 14:50 |
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分類 儲存設備 , 晶圓 , 記憶體

據 TrendForce 調查，第二季 NAND Flash 供應端在三星（Samsung）、長江存儲（YMTC）、SK 海力士（SK Hynix）與英特爾（Intel）帶領下，仍維持積極擴張態勢，預估位元產出季增長可達近 10%；需求端則是受惠自第一季以來持續有 PC OEM、中國手機品牌廠訂單挹注，以及自第二季起資料中心客戶將恢復採購動能的支撐。然而目前 NAND Flash 控制器供給吃緊的問題仍存，進而刺激買方積極備貨。預期第二季 NAND Flash 價格將自第一季小幅下跌 5%~10%，轉為上漲 3%~8%。目前三星美國德州奧斯汀工廠尚未完全復工，對接下來的控制器供給產生更大隱憂，將使三星 client SSD 供貨能力進一步受限。不排除合約價上漲幅度有超過目前預測的可能。 繼續閱讀..