南韓記憶體大廠三星宣布,4 日正式推出 Flashbolt 的 HBM(高寬頻)DRAM。這是第 3 代 HBM 技術,未來將用於超級電腦、GPU 和各種 AI 應用所需的高性能計算。
三星宣布推出 HBM Flashbolt DRAM,2020 年中投產 |
| 作者 Atkinson|發布日期 2020 年 02 月 04 日 17:30 | 分類 GPU , Samsung , 國際貿易 |
旺季前備貨需求回溫,2019 年第三季 NAND Flash 廠商營收季增 10% |
| 作者 TechNews|發布日期 2019 年 11 月 25 日 15:15 | 分類 記憶體 , 財經 | edit |
根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查,2019 年第三季 NAND Flash 產業營收表現,受惠於年底銷售旺季以及因應美中貿易衝突客戶提前備貨需求增加,激勵整體位元出貨量成長近 15%,另一方面在供應商庫存水位改善下,抑制了以低價對 Wafer 市場倒貨的力道,進而帶動合約價跌幅收斂,第三季產業營收季成長為 10.2%,達到約 119 億美元。 繼續閱讀..
第三季 DRAM 提前備貨需求大增,帶動產值季成長 4% |
| 作者 TechNews|發布日期 2019 年 11 月 18 日 15:25 | 分類 記憶體 , 財經 , 零組件 | edit |
根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2019 年下半年 DRAM 需求端的庫存已回到較健康的水位,加上部分業者為避免日後可能加徵關稅帶來的負面衝擊,在第三季提前備貨,帶動 DRAM 供應商第三季的銷售位元出貨量(sales bit)大增,連帶推升 DRAM 總產值成長 4%,結束連 3 季下滑。展望第四季,儘管第三季基期已高,三大 DRAM 原廠仍預期在伺服器及手機需求的帶動下,出貨量有望維持成長。 繼續閱讀..
買方採購力道回溫,DRAM 第 4 季合約價跌幅明顯收斂 |
| 作者 TechNews|發布日期 2019 年 11 月 11 日 15:43 | 分類 記憶體 | edit |
根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新調查,第 4 季 DRAM 均價相較前一季仍小幅下跌,但跌幅已縮小至約 5%。10 月交易量與先前季度的首月相比明顯放大,顯示買方購貨的意願逐漸增強。一旦供給商的庫存降低,降價求售的必要性便大幅下降,有助於 2020 年 DRAM 價格的止穩反彈。 繼續閱讀..
三星宣布加速投資半導體,今年投資達 200 億美元 |
| 作者 MoneyDJ|發布日期 2019 年 11 月 01 日 17:15 | 分類 Samsung , 晶片 , 財報 | edit |
南韓科技巨頭三星電子(Samsung Electronics)10 月 31 日公布,今年投資金額達到 29 兆韓圜(約 248 億美元),與 2018 年大致持平,其中包括半導體部門共投資 23.3 兆韓圜(約 200 億美元)、顯示器部門投資 2.9 兆韓圜。三星表示,第四季的資本支出預計主要用於記憶體晶片的基礎設施。今年前三季,該公司累計投資金額為 16.8 兆韓圜,並計劃在第四季增加 12.2 兆韓圜的投資支出。
