2014 年 3D-NAND Flash 始萌芽,2015 年下半年加溫

作者 | 發布日期 2014 年 05 月 19 日 20:49 | 分類 晶片 , 零組件
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根據全球市場研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查顯示,隨著下半年即將進入各種行動裝置的旺季出貨高峰期,我們預期 2014 年受惠智慧型手機、平板電腦與企業級固態硬碟的強勁成長,NAND Flash 位元需求年增率為 39%,整體產業產值可望較 2013 年成長 5%,來到 252 億美元。



從近期各大 NAND Flash 2014 年生產的計畫來看,多數 NAND Flash 廠商在今年提升產能的主要來源主要依舊為製程轉進,加上今年 2014 年開始進入奈米微縮製程倒數的階段,廠商今年的資本支出主要是針對明年開始逐漸量產的 3D-NAND Flash,金額也估計增加至 $9.2bn,較去年增加 12% YoY。

三星電子今年主要產能擴充的部分來自於中國西安廠,而西安廠也在今年五月初正式宣布開始營運,生產目標為 3D-NAND Flash,然而考量 3D-NAND Flash 的客戶認證與應用尚需要時間的情況下,中國西安廠的產能增加將視 3D-NAND Flash 客戶採用的比重來做彈性的規劃,因此我們認為三星西安廠今年對於整體產出的實質貢獻將十份有限,三星電子今年產出年增率估計為接近 40% YoY。

東芝陣營的部分,第五半導體工廠的第二階段將在今年第三季建置完成,相關機台設備將從第四季開始移入,主要將針對先進的 1z 奈米與 3D-NAND Flash,量產時間將從明年第一季開始,同時東芝也積極展現對於 3D-NAND 的企圖心,日前宣布將改建原先舊有的第二半導體工廠,預計最快在 2016 年將可開始生產全新的 3D-NAND Flash,然而新的廠房運轉時程表多落在明年與 2016 年,因此東芝陣營今年的產出成長自積極轉進 1ynm的情況下,年產出成長率也有 38% YoY 的水準。

海力士在無錫廠火災後復原的情況良好,原先挪移支援 DRAM 生產的NAND Flash產能將在第二季轉回生產 NAND Flash,因此海力士第二季的 NAND Flash 產能將回到去年第三季火災前的水準,再加上海力士 16 奈米的嵌入式產品認證進度良好,因此海力士今年產出從第二季開始將可滿足主要 OEM 客戶在下半年旺季的需求。

美光陣營新加坡廠 DRAM 轉進 NAND Flash 的進度也將在這個季度完成,未來美光新加坡的 NAND Flash 產能將提升至 230K/M 的水準,成為美光陣營生產 NAND Flash 相關重要產品如 eMMC、eMCP與 SSD 全球布局的重要基地,因此綜合幾家 NAND Flash 廠商今年的投產進度,2014 年 NAND Flash 整體產業的產出位元成長率為 38% YoY。

從製程轉進的角度來看,雖然三星電子憑藉自身開發的主控晶片加速整合 3D-NAND Flash 在嵌入式產品的開發進度,一開始就切入企業級固態硬碟,然而在伺服器與雲端運算業者認證與測試的時間均較原先預期來的更長的情況下,3D-NAND Flash 的進展在今年將相對有限;而東芝陣營雖然在今年第三季開始可小量試產,但從其新建置產能規劃的量產時程表多落在明年下半年與 2016 年的情況看來,今年將無明顯的產出貢獻;而海力士與美光陣營的 3D-NAND Flash 的量產時間表也多從明年下半年開始,因此 TrendForce 調整 2014 年整年度的 3D-NAND Flash 產出比重為 2%,尚屬於萌芽的階段,待明年下半年起各家的 3D-NAND Flash 正式開始放量生產,產出比重才有機會逐漸往上。

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