三星宣布量產 90 層堆疊的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體

作者 | 發布日期 2018 年 07 月 11 日 10:30 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

全球記憶體龍頭廠三星 10 日宣布,正式量產堆疊數高達 90 層的第 5 代 V-NAND 快閃記憶體。此產品不但堆疊數為目前最高,且還首發 Toggle DDR 4.0 傳輸介面,使傳輸速率達到 1.4Gbps。




三星 V-NAND 是 3D NAND 快閃記憶體其中一種。目前市場主力還是堆疊數 64 層的第 4 代 V-NAND 快閃記憶體。三星宣布正式量產的是第 5 代 V-NAND 快閃記憶體,核心容量 256Gb 並不算高,但各項性能指標缺不能小覷。它是業界首發支援 Toggle DDR 4.0 傳輸介面的 V-NAND 快閃記憶體,傳送速率達到 1.4Gbps,相較過去 64 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體來說,足足提升了 40%。

除了採用新的傳輸介面提升速率,第 5 代 V-NAND 快閃記憶體的性能、功耗也進一步優化。工作電壓從 1.8V 降至 1.2V,寫入速度也是目前最快的 500us,比上一代 V-NAND 快閃記憶體提升了 30%。讀取速率的回應時間也縮短到 50us。

三星第 5 代 V-NAND 快閃記憶體內部堆疊超過 90 層 CTF Cell 單元,是目前市面堆疊層數最高的 3D NAND TLC 架構快閃記憶體。這些儲存單元透過微管道孔洞連接,每個孔洞只有幾百奈米寬,總計包含超過 850 億個 CTF單元,每個單元可以儲存 3 位元資料。

此外,第 5 代 V-NAND 快閃記憶體在製程技術也有改進,製造生產效率提升了 30%。藉由先進製程技術,使每個快閃記憶體單元的高度降低了 20%,減少單位之間干擾的發生率,提高資料處理的效率。三星目前正加強第 5 代 V-NAND 快閃記憶體量產,以便滿足高密度儲存領域,包括高效能運算、企業伺服器及行動裝置市場的需求。

除了第 5 代 V-NAND 快閃記憶體量產,三星目前還在擴展 V-NAND 快閃記憶體,準備推出核心容量高達 1Tb 的 NAND 快閃記憶體,及 QLC 架構的快閃記憶體產品,繼續推動下一代快閃記憶體發展。

(首圖來源:三星)