聯電攜手美商,合作技術開發 MRAM 及 28 奈米相關產品

作者 | 發布日期 2018 年 08 月 07 日 10:30 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly

聯電 6 日與 ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻 RAM)廠商美商 Avalanche 共同宣布,兩家公司將成為合作伙伴,共同開發和生產取代嵌入式記憶體的磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)。同時聯電也將透過 Avalanche 的授權提供技術給其他公司,並透過授權提供客戶具有成本效益的 28 奈米嵌入式非揮發性 MRAM 技術。



聯電表示,根據此次合作協議,公司於 28 奈米 CMOS 製程上可提供嵌入式非揮發性 MRAM 區塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式 MRAM 記憶體模組整合至應用產品,並鎖定在物聯網、穿戴裝置、消費型產品,以及工業、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統單晶片(SoC)上。

此外,兩家公司也正考慮將合作範疇擴展至 28 奈米以下的製程技術,利用 Avalanche 在 CMOS 技術的相容及可擴充特性,運用到各個先進製程。聯電指出,此舉使這些統一記憶體(非揮發性及靜態隨機存取記憶體 SRAM)能順利移轉調配到下一世代的高整合性的微控制器和系統單晶片上。如此一來,系統設計者就可以在同樣的架構及連帶的軟體系統上直接修改而不需重新設計。

聯電先進技術處副總經理洪圭鈞也表示,公司不斷推出持續精進的製程技術,以提升客戶的競爭優勢。而隨著嵌入式非揮發性記憶體 NVM 解決方案在目前的晶片設計界日趨普及,已經為高成長的行業,如新興消費和車用電子應用的客戶,建立了強大且堅實的嵌入式非揮發性記憶體解決方案組合;很高興和 Avalanche 合作開發 28 奈米 MRAM,更期待能將此合作進程推升至聯電客戶的量產階段。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:聯華

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