三星宣布推出 1Z 奈米製程 DRAM,2019 年下半年開始大量生產

作者 | 發布日期 2019 年 03 月 21 日 17:30 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體 follow us in feedly

在動態隨機存取記憶體(DRAM)製程陸續進入 1X 及 1Y 製程領域之後,全球 DRAM 龍頭南韓三星 21 日宣布,首次業界開發第 3 代 10 奈米等級(1Z 奈米製程)8GB 高性能 DRAM。這也是三星發展 1Y 奈米製程 DRAM 之後,經歷 16 個月,再開發出更先進製程的 DRAM 產品。




據了解,新一代 1Z 奈米製程 DRAM,三星在不使用極紫外線光刻機(EUV)的情況下打造,這顯示三星進一步提高了 DRAM 的生產極限,並拉高競爭對手的生產門檻。隨著 1Z 奈米製程產品問世,並成為業界最小的記憶體生產節點,目前三星已準備好用新的 1Z 奈米製程 DDR4 DRAM 滿足日益成長的市場需求,生產效率比以前 1Y 奈米等版 DDR4 DRAMUL4 高 20% 以上。

三星表示,1Z 奈米製程 8GB DDR4 DRAM 的正是大量生產時間將落在 2019 下半年,以因應下一代企業伺服器需求,並有望能在 2020 年支援新高階個人電腦。除了提供市場需求,三星還指出,跨入 1Z 奈米製程的 DRAM 生產,將為全球 IT 加快朝向下一代 DRAM 介面,包括 DDR5、LPDDR5 和 GDDR6 等預做準備。這些具更高容量和性能的 1Z 奈米製程產品將增強三星在市場的業務競爭力,鞏固其高階 DRAM 市場應用的領導地位,包括伺服器、圖形和行動裝置等領域。

另市場消息指出,與一家 CPU 製造商就 8GB DDR4 模組全面驗證後,三星將積極與全球客戶合作,提供一系列即將面世的記憶體解決方案。為了滿足目前的行業需求,三星計劃增加主要記憶體生產比重。

(首圖來源:三星)