聯電宣布 22 奈米特殊技術成熟,28 奈米設計可無痛轉移

作者 | 發布日期 2019 年 12 月 02 日 15:31 | 分類 晶片 , 零組件 follow us in feedly


聯華電子 2 日表示,在使用 USB 2.0 測試載具並成功通過矽驗證之後,正式宣布更先進的 22 奈米製程技術就緒。

聯電表示,相較於一般的 USB 2.0 PHY IP,使用聯電製程的測試載具所使用面積是全球最小,已展現聯電技術的成熟,且新的晶片設計若要採用 22 奈米製程,並無需更改現有的 28 奈米設計架構,客戶將可放心地的直接從 28 奈米製程轉移到 22 奈米。

聯電強調,將致力於提供世界領先的晶圓專工特殊技術,並持續推出特殊製程,以應用於快速成長的 5G、物聯網和車用電子等晶片市場。與原本的 28 奈米高介電係數 / 金屬柵極製程相比,22 奈米能再縮減 10% 的晶粒面積、擁有更好的功率效能比,以及強化射頻性能等特點。

另外還提供了與 28 奈米製程相同光罩數的 22 奈米超低功耗版本(22ULP),以及 22 奈米超低洩漏版本(22ULL),將支援 0.6~1.0 伏特電壓,協助客戶在系統單晶片設計中同時享有兩種技術優勢。日前聯電已與 ASIC 設計服務商智原在 22 奈米製程平台上合作推出基礎元件 IP 支援,是市場上需防漏電或長期續行的產品,如機上盒、數位電視、監視器、穿戴式裝置等物聯網晶片的理想選擇。

目前應用 22ULP/ULL 製程的基礎元件 IP 已具備進階的繞線架構,多樣的 IO 元件庫包括通用 IO、多重電壓 IO、RTC IO、OSC IO 和類比 ESD IO,且記憶體編譯器還具有雙電源軌功能、多重省電模式、和讀寫輔助功能等特色。

(首圖來源:科技新報)

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