南韓記憶體大廠 SK 海力士 (SK-hynix) 宣布，已經與 Xperi Corp 旗下的子公司 Invensas 簽訂新的專利與技術授權協議，未來將可以使用 Invensas 的 DBI Ultra 2.5D/3D 連結技術，使得目前在半導體發展上的兩大發展領域-微縮 (miniature) 及異質整合 (Heterogeneous integration) 能獲得更進一步發展。
SK 海力士表示，DBI Ultra 是一種專利的裸片，也就是在晶圓上藉由混合鍵合的連結技術，使得在此裸片上達到每平方毫米的面積裡容納 10 萬個到 100 萬個連接開孔，孔間距最小只有 1 微米的大小，相比每平方毫米最多只有 625 個連結開孔的傳統銅柱連結技術，新的技術可大大提高傳輸頻寬。
另外，DBI Ultra 使用化學鍵合來連接不同的連結層，不需要銅柱和底層填充，因此不會增加晶圓的厚度，從而大大降低整體堆疊高度，預計可將 8 層堆疊提升到到 16 層堆疊，以獲得更大容量。而且，在使用新技術製程的情況下，產品的良率因為不需要進行高溫的流程，使得其產品的良率相較過去有更好的表現。
SK 海力士還強調，和其他下一代的連結技術類似，DBI Ultra 也同樣支援 2.5D、3D 整合封裝，還能整合不同尺寸、不同技術製程的 IP 模組。因此，不但可用來生產 DRAM、3DS、HBM 等記憶體，也可用於高整合度的 CPU、GPU、ASIC、FPGA、SoC 等產品的製造上。例如在 3D 整合解決方案上，在上方可以是 4 到 16 層堆疊的 HBM，下方則是連結了 CPU、GPU、FPGA、SoC 等邏輯運算單元。這對於未來在設計手持終端產品上，有大大節省空間的好處。
不過，目前 SK 海力士還未透露將會把 DBI Ultra 技術運用在什麼樣的產品上，但是依照市場的推測，以 SK 海力士的技術特長來說，顯然用於 DRAM、HBM 上將會是最佳的選擇。
(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)
