期望拉大與競爭對手差距,三星積極研發 160 層堆疊 3D NAND Flash

作者 | 發布日期 2020 年 04 月 17 日 15:55 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


就在日前,中國記憶體廠長江存儲正式發表 128 層 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體之後,目前市場上的記憶體龍頭──南韓三星也正緊鑼密鼓的研發下一代 3D NAND Flash 快閃記憶體,預計其對疊層數可高達 160 層,期望藉以拉開與其他競爭對手的領先差距。

根據南韓媒體《ETnews》的報導,三星目前正在開發具有 160 層堆疊的第 7 代 V-NAND 快閃記憶體,而且再相關方面的技術也取得重大進展。目前,三星的第 7 代 V-NAND 快閃記憶體將採用「雙堆疊」的技術來達到更多堆疊層的目的,這樣可以使得容量更大,使用範圍也更加廣泛。就現階段來說,如果完成 160 層堆疊的 V-NAND 快閃記憶體開發,將會是業界對高堆疊層數的產品,超越目前最大的 128 層堆疊產品。

報導指出,目前尚未有相關記憶體企業完成 160 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體開發與生產。不過,包括南韓的三星和 SK Hynix 等記憶體廠都已經在 2019 年宣布了這個發展規劃。也由於中國廠商長江存儲在日前宣布開發成功 128 層的 TLC/QLC NAND Flash 快閃記憶體,並宣布 2020 年將大量生產計畫,這也使得三星決定加進腳步開發 160 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體,藉以成為拉大與競爭對手技術差距的墊腳石。

報導進一步指出,在記憶體產業中,這稱為 3D NAND Flash 的快閃記憶體,三星則是稱為 V- NAND 快閃記憶體。其重要的技術就在於是可以生產出多少堆疊層的產品,這是 3D NAND Flash 快閃記憶體廠商的核心競爭力,而目前三星是被公認為業界技術最先進的廠商。另外,三星在 2019 年也以 166.7 億美元(約 20 兆韓圜)的營收,在全球 3D NAND Flash 快閃記憶體市場上成為龍頭,市占率達到 35.9%。

另外,特別值得一提的是,儘管武漢肺炎疫情的爆發,三星仍繼續進行記憶體生產與研發的投資而沒有中斷或減少,其中包括了位於中國西安的 NAND Flash 快閃記憶體工廠的擴產。而追隨三星的腳步,南韓的另一家記憶體大廠 SK Hynix 也在 2020 年恢復了記憶體產品的投資。由於記憶體為南韓的重要產業,因此預計未來的投資還將持續擴大。

(首圖來源:三星)