SK 海力士第 4 代 10 奈米級 EUV 技術 DRAM 預計 2021 年量產

作者 | 發布日期 2020 年 06 月 01 日 16:30 | 分類 國際貿易 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


就在當前因為市場不確定因素增加,以及武漢肺炎疫情恐將影響記憶體後續市場發展的情況下,主要記憶體廠商皆不輕易擴增產能,反而以優化製程技術的方式來增加其供應的能力。因此,根據南韓媒體報導,記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 的相關內部人士透露,該公司已開始研發第 4 代 10 奈米級製程 (1a) 的 DRAM,內部代號為「南極星」 (Canopus),而且預計將在製程中導入 EUV 曝光技術。

報導指出,目前 SK 海力士最先進的 DRAM 產品主要以 10 奈米等級的 1Y 及 1Z 製程技術為主,這是屬於第 2 代及第 3 代的 10 奈米等級製程。該公司計劃在 2020 年下半年將這兩種製程技術的生產比重提高到 40%。此外,SK 海力士還將繼續發展新一代的 DRAM 的製程技術。

報導進一步強調,「南極星」(Canopus) 將是 SK 海力士至今的最關鍵發展計畫之一,因為這是該公司首度應用 EUV 曝光技術來生產 DRAM。不過,報導也引用南韓一位消息人士的說法指出,目前 SK 海力士當下最重要的問題,是公司是能否透過使用 EUV 曝光技術來確保其產品的有效競爭力。

事實上,之前有媒體報導指出,SK 海力士的競爭對手三星已在 2020 年 3 月份宣布,已出貨了 100 萬個由第 4 代 10 奈米等級,內含 EUV 曝光技術所生產的 DDR4 DRAM 模組,並預計將在 2021 年開始正式大量生產,而且,未來該公司接下來的幾代的 DRAM 產品將會全面導入 EUV 曝光技術,這消息對 SK 海力士來說將會是充滿著競爭性。因此,SK 海力士計劃目前旗下的首款第 4 代 10 奈米等級 DRAM 將在 2021 年推出,這也將使得屆時以 EUV 曝光技術的記憶體生產市場競爭將更加激烈。

(首圖來源:SK 海力士)