Tag Archives: SK海力士

中國三大記憶體陣營預計下半年試產,2019 年為中國記憶體生產元年

作者 |發布日期 2018 年 04 月 19 日 13:30 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

全球記憶體市場需求持續不減,國際大廠紛紛投入擴產行動。包括龍頭三星在 NAND Flash 方面,宣布中國西安開始第 2 期的建設工程,DRAM 上也有意在南韓平澤(Pyeongtaek)廠大幅生產。而另一家南韓大廠 SK 海力士,除了生產 NAND Flash 的 M15 廠預期在 2019 年正式營運之外,在 DRAM 部分也斥資 86 億美元,將在中國無錫興建第 2 期廠房。

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趙偉國連辭兩家子公司董座,象徵購併為主的「紫光模式」走向盡頭

作者 |發布日期 2018 年 04 月 09 日 10:40 |
分類 中國觀察 , 晶片 , 處理器

中國清華紫光集團董事長趙偉國連辭集團旗下兩家公司紫光控股及紫光國芯兩家公司的董事長及董事職務,雖然趙偉國自己表示,是因為工作太忙,無法兼顧而請辭,但是根據的外界猜測,趙偉國請辭的原因,恐怕與近幾年所主導的海外購併案進展不順,與集團發展策略的改變有關。因此,趙偉國的請辭,似乎也象徵著中國半導體購併的策略已經逐步走到了盡頭。

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搶攻全球 NAND Flash 市場,美光宣布在新加坡興建第 3 工廠

作者 |發布日期 2018 年 04 月 08 日 12:00 |
分類 晶片 , 記憶體 , 財經

在市場 NAND Flash 快閃記憶體供應仍有缺口,導致價格已就維持高檔的情況下,包括國際大廠三星、SK 海力士、東芝,以及中國廠商長江存儲存紛紛宣布擴產以增加產能之際,7 日美商記憶體大廠美光(Micron)也宣布擴產,以補足市場供不應求的缺口。

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受惠晶圓廠關廠與轉移風潮,台積電與全球三大記憶體廠將維持優勢

作者 |發布日期 2018 年 03 月 07 日 10:00 |
分類 Samsung , 晶片 , 處理器

根據市場調查機構 IC Insights 日前公布的資料顯示,自 2009 年到 2017 年之間,全球共有 92 座 IC 晶圓廠關閉或變更用途。其中,關閉或變更用途的以 6 吋廠比率最高,占總數量的 41%、其次為 8 吋廠的 26%,4 吋、5 吋與 12 吋廠的比率則分別為 10%、13% 與 10%。這意味著未來半導體生產將更集中於當前業主,包括晶圓代工龍頭台積電,或是以記憶體生產為主的全球三大廠,都將持續保持大者恆大的優勢。

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中國發改委施壓三星,要求控制記憶體漲價並優先對中國企業供貨

作者 |發布日期 2018 年 02 月 26 日 11:15 |
分類 Samsung , 國際貿易 , 手機

韓國媒體近日報導表示,中國發改委要求南韓記憶體廠商三星要控制記憶體價格的持續上漲,並且要優先公會給中國的相關廠商。2017 年底,中國智慧型手機廠商聯合舉報,對記憶體價格的連續上漲表示不滿之後,中國政府正式介入市場干預。

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美光宣布 QLC 快閃記憶體架構 SSD 將在 2018 年推出

作者 |發布日期 2018 年 02 月 13 日 12:10 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

記憶體大廠美光 (Micron) 日前在英國倫敦的舉行的 A3 Technology Live Conference 上,揭露了許多新產品的發展計畫。其中之一就是將在 2018 年正式推出 QLC 快閃記憶體,預計新推出的 QLC 快閃記憶體將會真對資料中心的超大儲存需求而來,並且將衝擊當前為使用大宗的 TLC 快閃記憶體與傳統 HDD 硬碟的市場。

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競爭挖礦財,美光駁斥三星與海力士推出新 GDDR6 顯卡記憶體規格

作者 |發布日期 2018 年 01 月 25 日 16:10 |
分類 GPU , Samsung , 記憶體

全球瀰漫挖礦商機,各大顯示卡廠全力搶攻顯示卡市場,用於高階顯卡記憶體的 GDDR 市場也跟著水漲船高,成為各家記憶體大廠的兵家必爭之地。日前兩家韓系記憶體大廠三星及 SK 海力士分別推出最新規格的 GDDR6 顯卡記憶體,另一家記憶體大廠美商美光(Micron)的動向格外讓人關注。面對兩家競爭對手陸續推出號稱最新規格的 GDDR6 顯卡記憶體,美光表示攤開規格來看,競爭對手推出的 GDDR6 顯卡記憶體,與美光目前大量出貨的 GDDR5x 顯卡記憶體幾乎相同,不要被名稱混淆了,比較規格後再說。

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NAND Flash 需求不退燒,東芝宣布興建第 7 座 NAND Flash 工廠

作者 |發布日期 2017 年 12 月 25 日 10:41 |
分類 伺服器 , 國際貿易 , 晶片

2017 年是 NAND Flash 快閃記憶體廠商豐收的一年,零售價格的暴漲帶動了廠商的營收,同時還對獲利有了巨大貢獻。所以,當前全球的 4 大 NAND Flash 廠商,包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來進行新一波的投資。而根據外電的報導,東芝就最新宣布,將拿出 70 億日圓的金額,準備興建第 7 座快閃記憶體工廠(Fab7),地點就在日本的四日市(Yokkaichi)。

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中國能否放行東芝出售旗下半導體業務,SK 海力士成為關鍵

作者 |發布日期 2017 年 12 月 19 日 12:15 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

根據《彭博社》引用知情人士消息報導,中國已啟動審查日本科技大廠東芝(Toshiba)出售旗下半導體業務之後,中國商務部的反壟斷審查官員指出,對南韓記憶體大廠 SK 海力士在此樁交易扮演的角色感到擔心,可能進一步影響中國對此審查案的態度。

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美國國際貿易委員會決定調查南韓 SK 海力士記憶體模組侵權案

作者 |發布日期 2017 年 12 月 04 日 11:40 |
分類 伺服器 , 國際貿易 , 記憶體

據南韓媒體《etnews》報導,日前遭美國晶片廠 Netlist 控告兩項記憶體模組侵權的南韓記憶體大廠 SK 海力士,美國國際貿易委員會(ITC)3 日宣布,決定立案開始調查。調查最終結果,一旦被裁定有侵犯專利權的事實, ITC 將有權利引用美國海關 337 條款,禁止使用侵權技術的產品輸入美國。

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三星 2017 年狂砸台幣 7,800 億元資本支出,為英特爾與台積電總和

作者 |發布日期 2017 年 11 月 15 日 11:34 |
分類 國際貿易 , 晶片 , 處理器

隨著市場競爭加劇,半導體競爭從產品、技術,延伸到資本支出。根據市場調查機構 IC Insights 最新調查報告顯示,2017 年全球半導體產業資本支出將達 908 億美元(約新台幣 2.74 兆元),較 2016 年成長 35% 。其中,南韓半導體大廠三星的資本支出翻倍成長,由 2016 年 113 億美元(約新台幣 3,403 億元),成長至 2017 年的 260 億美元(約新台幣 7,834 億元),為英特爾及台積電全年資本支出的總和。

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記憶體產值減少,台灣 2017 年半導體產值首度落後南韓

作者 |發布日期 2017 年 11 月 07 日 13:10 |
分類 國際貿易 , 晶片 , 記憶體

在記憶體價格供不應求,價錢居高不下的情況下,也進一步影響了台灣半導體產值在全世界的排名。根據工研院產業經濟與趨勢研究中心(IEK)的研究指出,全球半導體市場在記憶體成長達到六成幅度的帶動下,首度超過 4 千億美元,較 2016 年成長近 2 成。這使得目前在記憶體市場擁有絕對優勢的南韓,2017 年的半導體產值超越台灣,排名居次,僅次於美國。

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