Tag Archives: SK 海力士

打臉 SK 海力士購併 Intel 大連廠與 NAND Flash 業務可能性,市場指日韓貿易戰誘因有限

作者 |發布日期 2019 年 07 月 12 日 12:15 |
分類 國際貿易 , 晶片 , 記憶體

針對外傳南韓記憶體大廠 SK 海力士與處理器龍頭 Intel 洽談收購中國大連廠一事,市場人士指出,由於日韓貿易戰事件目前仍屬短期影響,加上 SK 海力士與 Intel 採用技術架構不同,且 SK 海力士也已有新廠規劃,因此預料該項收購案成局的可能性可能不高。

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南韓斥資 6 兆韓圜發展半導體材料,日本管制輸出南韓恐雙輸

作者 |發布日期 2019 年 07 月 04 日 11:00 |
分類 晶圓 , 晶片 , 記憶體

7 月 1 日,日本經濟產業部宣布,加強對南韓出口管制製造智慧手機與電視機 OLED 面板零組件的「氟聚醯亞胺」、半導體製程使用的「光刻液」和「高純度氟化氫」等半導體材料,並於 7 月 4 日起正式施行。根據《韓聯社》報導,南韓產業通商資源部 3 日決定對半導體材料、零部件、設備研發投入 6 兆韓圜(約新台幣 1,700 億元)預算,以應付日本限制出口南韓。

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日本四日市停電衝擊 TMC NAND Flash 生產,野村:帶動市場回溫,TrendForce 則指影響不大

作者 |發布日期 2019 年 06 月 20 日 16:15 |
分類 國際貿易 , 手機 , 記憶體

外資野村證券(Nomura)最新研究報告指出,6 月 15 日時,日本三重縣四日市因為停電的緣故,造成記憶體大廠東芝半導體(TMC)當地營運的 5 座 NAND Flash 快閃記憶體工廠的營運中斷,預計將造成部分損失。對此,國內 TrendForce 旗下記憶體儲存研究(DRAMeXchange)則指出,就目前市場供過於求的情況下,對市場的直接衝擊有限。

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DRAM 價格直直落,DRAM 廠陸續導入 EUV 降低成本以提升獲利

作者 |發布日期 2019 年 06 月 19 日 10:50 |
分類 國際貿易 , 材料、設備 , 記憶體

根據國外媒體報導,曾表示目前製程技術還用不上 EUV 技術的各大 DRAM 廠在目前 DRAM 價格直直落,短期看不到止跌訊號的情況下,也頂不住生產成本的壓力,開始考量導入 EUV 技術,以降低生產成本。南韓三星將在 2019 年底前正式導入。

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中國施壓廠商抵制美國制裁,數家科技大廠遭點名

作者 |發布日期 2019 年 06 月 10 日 11:00 |
分類 中國觀察 , 國際貿易 , 財經

根據南韓媒體《ETnews》的報導,中國政府近期對全球科技公司施壓,警告他們不要加入美國對中國企業的制裁行動,否則未來可能將面臨嚴重後果。而中國政府施壓的對象,除了微軟和戴爾等美國企業外,中國還與南韓的三星電子和 SK 海力士等半導體大廠會面。

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韓媒:憂中國反制,韓三大電信表態未排斥華為

作者 |發布日期 2019 年 05 月 28 日 14:30 |
分類 Samsung , 中國觀察 , 網通設備

環球網報導,根據南韓媒體先前聲稱,美國正在緊密施壓,要求南韓加入「反華為戰役」。但據南韓《朝鮮日報》引述南韓通信行業消息指出,包括南韓電信公司(KT)、SK 電訊株式會社和 LG U+ 等南韓三大電信商,並沒有排斥華為的計畫。 繼續閱讀..

DRAM 第二季報價持續大幅下探,進一步壓縮供應商獲利

作者 |發布日期 2019 年 05 月 28 日 14:10 |
分類 記憶體 , 財經 , 零組件

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,在第一季傳統淡季,DRAM 價格下滑的壓力加劇,除了供應商在 2018 年下半年增加的產能於第一季陸續開出以外,需求端積極去化庫存的同時也壓縮採購力道,導致第一季 DRAM 量價齊跌的情況十分顯著,也使得整體產值較上季大幅下滑 28.6%。 繼續閱讀..

慧榮:NAND 第 2 季跌價走勢收斂,下半年反彈困難

作者 |發布日期 2019 年 05 月 05 日 16:00 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

Nand Flash 控制 IC 大廠慧榮總經理苟嘉章指出,從 2018 年下半年開始跌價的 Nand Flash 價格,因為 2019 年的第 1 季跌幅已深,第 2 季跌價情況已經有所收斂,加上新應用的陸續出籠,使得整體市場狀況有比以前較為好轉的情況。只是,當前價格還是持續維持低檔,以及還有許多外在因素的影響下,整體 2019 年下半年仍維持保守的情況。

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