Tag Archives: SK 海力士

2018 上半年全球前 15 大半導體廠,三星搶下龍頭,台積電、聯發科進榜

作者 |發布日期 2018 年 08 月 20 日 17:40 |
分類 GPU , 晶片 , 處理器

根據市場調查機構 IC Insihts 的最新一季全球半導體廠商排名調查,三星蟬聯第一,英特爾位居第二。這次 TOP15 廠商中,記憶體廠商成長速度多在 35% 以上,非記憶體廠商中,業績成長最大的就屬 NVIDIA 了,2018 上半年營收較前一年同期成長 53%。

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第二季全球行動式記憶體產值再創新高,然下半年成長力道趨緩

作者 |發布日期 2018 年 08 月 20 日 14:35 |
分類 手機 , 記憶體 , 財經

TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,第二季在 Android 陣營接續發表旗艦新機的帶動下,全球智慧型手機市場總生產數量季增近 3%。由於高階機種主流搭載容量升至 6GB,且 8GB 的搭載占比也較去年擴大;加上市場供給仍舊緊缺,帶動第二季合約價格微幅上揚,在量增價漲下,第二季行動記憶體產值來到 88.69 億美元,季增 5.1%,再創新高。 繼續閱讀..

NAND Flash 品牌商 Q2 營收季增 3.5%,惟 Q3 持續供過於求、價格將續跌近 10%

作者 |發布日期 2018 年 08 月 16 日 15:00 |
分類 Samsung , 晶片 , 記憶體

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)最新報告指出,NAND Flash 市場在 2018 年第一季受傳統淡季影響,導致市場轉為供過於求。第二季隨著智慧型手機需求復甦、中國智慧型手機廠商提升高容量產品的備貨力道,雖位元出貨量得以支撐,然而,NAND Flash 仍是供過於求,第二季平均價格跌幅達 15-20%。 繼續閱讀..

第二季 DRAM 營收季增 11.3% 再創新高,然價格高點已近

作者 |發布日期 2018 年 08 月 13 日 14:05 |
分類 Samsung , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2018 年第二季由於供給吃緊情況延續,帶動整體 DRAM 報價走揚,DRAM 總營收較上季成長 11.3%,再創新高。除了繪圖用記憶體(graphic DRAM)仍受惠於虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動價格有 15% 顯著上漲外,其餘各應用別的記憶體季漲幅約在 3% 左右。 繼續閱讀..

SK 海力士 Q2 財報讚,營收、營益、純益創單季歷史新高

作者 |發布日期 2018 年 07 月 26 日 11:00 |
分類 晶片 , 記憶體 , 財報

南韓晶片廠商 SK 海力士(SK Hynix Inc.)7 月 26 日公布的 2018 年第二季(截至 2018 年 6 月 30 日為止)財報顯示,當季營收、營益、純益同步創下單季歷史新高:營收年增 55%(季增 19%)至 10.371 兆韓圜;營益年增 83%(季增 28%)至 5.574 兆韓圜;營益率年增 8 個百分點(季增 4 個百分點)至 54%;純益年增 75%(季增 39%)至 4.329 兆韓圜。 繼續閱讀..

SK 海力士計劃中國無錫建立 8 吋晶圓廠,預計 2019 年下半完工

作者 |發布日期 2018 年 07 月 11 日 15:00 |
分類 國際貿易 , 晶片 , 記憶體

近來受惠於人工智慧、IoT 物聯網、車用電子、虛擬貨幣等應用熱絡的影響,負責晶片生產的晶圓代工產業一直是其中最受矚目的環節。也因為有高度的需求性,又有其豐厚的利潤,使得部分科技廠商開始躍躍欲試。南韓記憶體大廠 SK 海力士在中國無錫建立晶圓代工生產據點的計畫,在日前進入相關帶為的審查尾聲之後,預定將在近期動工,2019 年下半年正式完工。

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2018 年第 1 季全球前 10 大半導體企業:三星擊敗英特爾居龍頭,NVIDIA 成長最快

作者 |發布日期 2018 年 06 月 28 日 9:10 |
分類 GPU , 晶片 , 處理器

市場調查公司 iHS Market 在 27 日公布了 2018 年第 1 季全球半導體市場報告,報告中指出,2018 年第 1 季全球半導體營收達 1157.62 億美元,較 2017 年第 4 季下滑 3.4%,但是卻較 2017 年同期成長了 21.6%。至於,季成長下滑的主因,主要是因為在無線通訊領域需求下滑,以及季節性產業淡季影響。

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三星與 SK 海力士 18 奈米伺服器 DRAM 暫停出貨,對市場幾無影響

作者 |發布日期 2018 年 06 月 22 日 18:20 |
分類 伺服器 , 國際貿易 , 記憶體

針對日前有市場消息傳出,南韓記憶體大廠三星及 SK Hynix 的 18 奈米製程伺服器記憶體出現了良率問題,已被中國及美國的客戶要求暫停出貨一事,目前因為 SK Hynix 的產能不高,而且多為樣品的關係,已經完成後續處理。至於,三星部分,則已經逐步與客戶完成處理中,對於產線也幾乎沒有影響。

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美光進行下世代 1Y 奈米 DRAM 驗證,技術上不須推進 EUV 應用

作者 |發布日期 2018 年 06 月 06 日 14:10 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

2018 年在邏輯 IC 的生產方面,包括台積電、三星及格羅方德等都會量產 7 奈米製程。首代的 7 奈米製成將使用傳統的 DUV 光刻技術,第二代 7 奈米製程才會上 EUV 光刻技術,且在 2019 年正式量產。至於,在記憶體產業部分,美光日前也表示,EUV 光刻技術並不是 DRAM 製程中所必須的,而且未來幾年內都都還不一定用得上。目前,美光在新一代製程技術上,正在由客戶驗證 1Y 奈米製程的記憶體,而且未來還有 1Z、1α 及 1β 製程。

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