Tag Archives: SK 海力士

打臉 SK 海力士購併 Intel 大連廠與 NAND Flash 業務可能性，市場指日韓貿易戰誘因有限
作者 |發布日期 2019 年 07 月 12 日 12:15 |
分類 國際貿易 , 晶片 , 記憶體

針對外傳南韓記憶體大廠 SK 海力士與處理器龍頭 Intel 洽談收購中國大連廠一事，市場人士指出，由於日韓貿易戰事件目前仍屬短期影響，加上 SK 海力士與 Intel 採用技術架構不同，且 SK 海力士也已有新廠規劃，因此預料該項收購案成局的可能性可能不高。

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南韓斥資 6 兆韓圜發展半導體材料，日本管制輸出南韓恐雙輸
作者 |發布日期 2019 年 07 月 04 日 11:00 |
分類 晶圓 , 晶片 , 記憶體

7 月 1 日，日本經濟產業部宣布，加強對南韓出口管制製造智慧手機與電視機 OLED 面板零組件的「氟聚醯亞胺」、半導體製程使用的「光刻液」和「高純度氟化氫」等半導體材料，並於 7 月 4 日起正式施行。根據《韓聯社》報導，南韓產業通商資源部 3 日決定對半導體材料、零部件、設備研發投入 6 兆韓圜（約新台幣 1,700 億元）預算，以應付日本限制出口南韓。

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日本四日市停電衝擊 TMC NAND Flash 生產，野村：帶動市場回溫，TrendForce 則指影響不大
作者 |發布日期 2019 年 06 月 20 日 16:15 |
分類 國際貿易 , 手機 , 記憶體

外資野村證券（Nomura）最新研究報告指出，6 月 15 日時，日本三重縣四日市因為停電的緣故，造成記憶體大廠東芝半導體（TMC）當地營運的 5 座 NAND Flash 快閃記憶體工廠的營運中斷，預計將造成部分損失。對此，國內 TrendForce 旗下記憶體儲存研究（DRAMeXchange）則指出，就目前市場供過於求的情況下，對市場的直接衝擊有限。

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DRAM 價格直直落，DRAM 廠陸續導入 EUV 降低成本以提升獲利
作者 |發布日期 2019 年 06 月 19 日 10:50 |
分類 國際貿易 , 材料、設備 , 記憶體

根據國外媒體報導，曾表示目前製程技術還用不上 EUV 技術的各大 DRAM 廠在目前 DRAM 價格直直落，短期看不到止跌訊號的情況下，也頂不住生產成本的壓力，開始考量導入 EUV 技術，以降低生產成本。南韓三星將在 2019 年底前正式導入。

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中國施壓廠商抵制美國制裁，數家科技大廠遭點名
作者 |發布日期 2019 年 06 月 10 日 11:00 |
分類 中國觀察 , 國際貿易 , 財經

根據南韓媒體《ETnews》的報導，中國政府近期對全球科技公司施壓，警告他們不要加入美國對中國企業的制裁行動，否則未來可能將面臨嚴重後果。而中國政府施壓的對象，除了微軟和戴爾等美國企業外，中國還與南韓的三星電子和 SK 海力士等半導體大廠會面。

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韓媒：憂中國反制，韓三大電信表態未排斥華為
作者 |發布日期 2019 年 05 月 28 日 14:30 |
分類 Samsung , 中國觀察 , 網通設備

環球網報導，根據南韓媒體先前聲稱，美國正在緊密施壓，要求南韓加入「反華為戰役」。但據南韓《朝鮮日報》引述南韓通信行業消息指出，包括南韓電信公司（KT）、SK 電訊株式會社和 LG U+ 等南韓三大電信商，並沒有排斥華為的計畫。 繼續閱讀..

DRAM 第二季報價持續大幅下探，進一步壓縮供應商獲利
作者 |發布日期 2019 年 05 月 28 日 14:10 |
分類 記憶體 , 財經 , 零組件

TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，在第一季傳統淡季，DRAM 價格下滑的壓力加劇，除了供應商在 2018 年下半年增加的產能於第一季陸續開出以外，需求端積極去化庫存的同時也壓縮採購力道，導致第一季 DRAM 量價齊跌的情況十分顯著，也使得整體產值較上季大幅下滑 28.6%。 繼續閱讀..

慧榮：NAND 第 2 季跌價走勢收斂，下半年反彈困難
作者 |發布日期 2019 年 05 月 05 日 16:00 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

Nand Flash 控制 IC 大廠慧榮總經理苟嘉章指出，從 2018 年下半年開始跌價的 Nand Flash 價格，因為 2019 年的第 1 季跌幅已深，第 2 季跌價情況已經有所收斂，加上新應用的陸續出籠，使得整體市場狀況有比以前較為好轉的情況。只是，當前價格還是持續維持低檔，以及還有許多外在因素的影響下，整體 2019 年下半年仍維持保守的情況。

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