Tag Archives: SK 海力士

2018 上半年全球前 15 大半導體廠，三星搶下龍頭，台積電、聯發科進榜
作者 |發布日期 2018 年 08 月 20 日 17:40 |
分類 GPU , 晶片 , 處理器

根據市場調查機構 IC Insihts 的最新一季全球半導體廠商排名調查，三星蟬聯第一，英特爾位居第二。這次 TOP15 廠商中，記憶體廠商成長速度多在 35% 以上，非記憶體廠商中，業績成長最大的就屬 NVIDIA 了，2018 上半年營收較前一年同期成長 53%。

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第二季全球行動式記憶體產值再創新高，然下半年成長力道趨緩
作者 |發布日期 2018 年 08 月 20 日 14:35 |
分類 手機 , 記憶體 , 財經

TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，第二季在 Android 陣營接續發表旗艦新機的帶動下，全球智慧型手機市場總生產數量季增近 3%。由於高階機種主流搭載容量升至 6GB，且 8GB 的搭載占比也較去年擴大；加上市場供給仍舊緊缺，帶動第二季合約價格微幅上揚，在量增價漲下，第二季行動記憶體產值來到 88.69 億美元，季增 5.1%，再創新高。 繼續閱讀..

NAND Flash 品牌商 Q2 營收季增 3.5%，惟 Q3 持續供過於求、價格將續跌近 10%
作者 |發布日期 2018 年 08 月 16 日 15:00 |
分類 Samsung , 晶片 , 記憶體

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）最新報告指出，NAND Flash 市場在 2018 年第一季受傳統淡季影響，導致市場轉為供過於求。第二季隨著智慧型手機需求復甦、中國智慧型手機廠商提升高容量產品的備貨力道，雖位元出貨量得以支撐，然而，NAND Flash 仍是供過於求，第二季平均價格跌幅達 15-20%。 繼續閱讀..

第二季 DRAM 營收季增 11.3% 再創新高，然價格高點已近
作者 |發布日期 2018 年 08 月 13 日 14:05 |
分類 Samsung , 記憶體 , 零組件

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，2018 年第二季由於供給吃緊情況延續，帶動整體 DRAM 報價走揚，DRAM 總營收較上季成長 11.3%，再創新高。除了繪圖用記憶體（graphic DRAM）仍受惠於虛擬挖礦（cryptocurrency）需求的增溫，帶動價格有 15% 顯著上漲外，其餘各應用別的記憶體季漲幅約在 3% 左右。 繼續閱讀..

SK 海力士 Q2 財報讚，營收、營益、純益創單季歷史新高
作者 |發布日期 2018 年 07 月 26 日 11:00 |
分類 晶片 , 記憶體 , 財報

南韓晶片廠商 SK 海力士（SK Hynix Inc.）7 月 26 日公布的 2018 年第二季（截至 2018 年 6 月 30 日為止）財報顯示，當季營收、營益、純益同步創下單季歷史新高：營收年增 55%（季增 19%）至 10.371 兆韓圜；營益年增 83%（季增 28%）至 5.574 兆韓圜；營益率年增 8 個百分點（季增 4 個百分點）至 54%；純益年增 75%（季增 39%）至 4.329 兆韓圜。 繼續閱讀..

SK 海力士計劃中國無錫建立 8 吋晶圓廠，預計 2019 年下半完工
作者 |發布日期 2018 年 07 月 11 日 15:00 |
分類 國際貿易 , 晶片 , 記憶體

近來受惠於人工智慧、IoT 物聯網、車用電子、虛擬貨幣等應用熱絡的影響，負責晶片生產的晶圓代工產業一直是其中最受矚目的環節。也因為有高度的需求性，又有其豐厚的利潤，使得部分科技廠商開始躍躍欲試。南韓記憶體大廠 SK 海力士在中國無錫建立晶圓代工生產據點的計畫，在日前進入相關帶為的審查尾聲之後，預定將在近期動工，2019 年下半年正式完工。

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2018 年第 1 季全球前 10 大半導體企業：三星擊敗英特爾居龍頭，NVIDIA 成長最快
作者 |發布日期 2018 年 06 月 28 日 9:10 |
分類 GPU , 晶片 , 處理器

市場調查公司 iHS Market 在 27 日公布了 2018 年第 1 季全球半導體市場報告，報告中指出，2018 年第 1 季全球半導體營收達 1157.62 億美元，較 2017 年第 4 季下滑 3.4%，但是卻較 2017 年同期成長了 21.6%。至於，季成長下滑的主因，主要是因為在無線通訊領域需求下滑，以及季節性產業淡季影響。

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三星與 SK 海力士 18 奈米伺服器 DRAM 暫停出貨，對市場幾無影響
作者 |發布日期 2018 年 06 月 22 日 18:20 |
分類 伺服器 , 國際貿易 , 記憶體

針對日前有市場消息傳出，南韓記憶體大廠三星及 SK Hynix 的 18 奈米製程伺服器記憶體出現了良率問題，已被中國及美國的客戶要求暫停出貨一事，目前因為 SK Hynix 的產能不高，而且多為樣品的關係，已經完成後續處理。至於，三星部分，則已經逐步與客戶完成處理中，對於產線也幾乎沒有影響。

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美光進行下世代 1Y 奈米 DRAM 驗證，技術上不須推進 EUV 應用
作者 |發布日期 2018 年 06 月 06 日 14:10 |
分類 國際貿易 , 記憶體 , 財經

2018 年在邏輯 IC 的生產方面，包括台積電、三星及格羅方德等都會量產 7 奈米製程。首代的 7 奈米製成將使用傳統的 DUV 光刻技術，第二代 7 奈米製程才會上 EUV 光刻技術，且在 2019 年正式量產。至於，在記憶體產業部分，美光日前也表示，EUV 光刻技術並不是 DRAM 製程中所必須的，而且未來幾年內都都還不一定用得上。目前，美光在新一代製程技術上，正在由客戶驗證 1Y 奈米製程的記憶體，而且未來還有 1Z、1α 及 1β 製程。

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