2021 年 140 層堆疊 3D NAND Flash 將推出,容量也將翻倍增加

作者 | 發布日期 2018 年 05 月 15 日 15:45 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


全球半導體材料及設備大廠應用材料公司,在目前舉行中的國際儲存研討會 2018(IMW 2018)表示,2021 年 3D NAND Flash 的堆疊層數將超過 140 層,且每一層厚度會不斷變薄,屆時將提供更大容量、更小體積的儲存空間。

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