2021 年 140 層堆疊 3D NAND Flash 將推出，容量也將翻倍增加
作者 | 發布日期 2018 年 05 月 15 日 15:45 | 分類 會員專區 , 記憶體 , 零組件 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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2021 年 140 層堆疊 3D NAND Flash 將推出，容量也將翻倍增加

全球半導體材料及設備大廠應用材料公司，在目前舉行中的國際儲存研討會 2018（IMW 2018）表示，2021 年 3D NAND Flash 的堆疊層數將超過 140 層，且每一層厚度會不斷變薄，屆時將提供更大容量、更小體積的儲存空間。

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