
16 日,南韓三星在官網上發文表示已完成 5 奈米 FinFET 製程技術的開發,並且已經可以為用戶提供樣品。根據公布的資料指出,與 7 奈米相比,三星的 5 奈米 FinFET 製程技術將邏輯區域效率提高了 25%,功耗降低了 20%,性能提高了 10%,進而可以在更小的晶片面積當中提供更強的性能,並且功耗更低。另外,三星也同時宣布,在 6 奈米和 7 奈米製程技術方面也有了重大的進展。
三星緊追台積電腳步,宣布完成 5 奈米製程研發 |
作者
Atkinson |
發布日期
2019 年 04 月 16 日 14:20 |
分類
Samsung
, 國際貿易
, 晶圓
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16 日,南韓三星在官網上發文表示已完成 5 奈米 FinFET 製程技術的開發,並且已經可以為用戶提供樣品。根據公布的資料指出,與 7 奈米相比,三星的 5 奈米 FinFET 製程技術將邏輯區域效率提高了 25%,功耗降低了 20%,性能提高了 10%,進而可以在更小的晶片面積當中提供更強的性能,並且功耗更低。另外,三星也同時宣布,在 6 奈米和 7 奈米製程技術方面也有了重大的進展。
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