新一代 High-NA EUV 設備,艾司摩爾預計 2025 年量產

作者 | 發布日期 2019 年 07 月 01 日 15:15 | 分類 國際貿易 , 晶圓 , 晶片 follow us in feedly


當前半導體製程微縮到 10 奈米節點以下,包括開始採用的 7 奈米製程,以及未來 5 奈米、3 奈米甚至 2 奈米製程,EUV 極紫外光光刻技術已成為不可或缺的設備。藉由 EUV 設備導入,不僅加快生產效率、提升良率,還能降低成本,使不僅晶圓代工業者積極導入,連 DRAM 記憶體的生產廠商也考慮引進。為了因應製程微縮的市場需求,全球主要生產 EUV 設備的廠商艾司摩爾(ASML)正積極開發下一代 EUV 設備,就是 High-NA(高數值孔徑)EUV 產品,預計幾年內就能正式量產。

根據南韓媒體《ETNews》報導,High-NA 的 EUV 設備與目前 EUV 設備的最大不同點,在於使用 EUV 曝光時,透過提升透鏡解析度,使解析度(resolution)和微影疊對(overlay)能力比現行 EUV 系統提升 70%,達到業界對幾何式晶片微縮(geometric chip scaling)的要求。ASML 利用德國蔡司半導體業務部門的技術提升透鏡解析度,就為了此目的,ASML 2016 年正式收購德國蔡司半導體業務部門 24.9% 股權。

針對下一代 High-NA 的 EUV 產品,ASML 之前也已從 3 個主要客戶取得 4 台訂單,並售出 8 台 High-NA EUV 產品的優先購買權。這些訂單中,晶圓代工龍頭台積電也是其中之一。2018 年時,台積電就宣布增加 3 億美元資本支出,為下一代 EUV 設備的預付款,也就是已預購新一代 High-NA 的 EUV 設備。針對新一代 High-NA EUV 設備,ASML 預計 2025 年正式量產。

(首圖來源:ASML)