美光 1z 奈米製程 DDR5 記憶體送客戶試樣,預計 2021 年正式量產

作者 | 發布日期 2020 年 01 月 07 日 18:45 | 分類 記憶體 , 零組件 , 電腦 Telegram share ! follow us in feedly


CES 2020 熱鬧舉行,AMD 與英特爾兩家處理器大廠都在會場發表全新處理器,雖然這些處理器預估還是支援 DDR4 記憶體,但傳輸量越來越大,必須擁有越來越快傳輸速度記憶體,下一代 DDR5 記憶體已開始準備量產。根據外電報導,美商記憶體大廠美光(Micron)7 日正式宣布,開始向客戶出樣最新 DDR5 記憶體,以第 3 代 10 奈米級 1z 奈米製程打造,性能提升 85%。

美光表示相較 DDR4 記憶體,DDR5 標準性能更強,功耗更低,起步頻率至少 4800MHz,最高 6400MHz。其他性能提升還有電壓從 1.2V 降到 1.1V,同時每通道 32/40 位(ECC)、匯流排效率提高、增加預取 Bank Group 數量等。

美光現在出樣的 DDR5 記憶體使用最新 1z 奈米製程,大概是 12 到 14 奈米節點,ECC DIMM 規格,頻率 DDR5-4800,比現在 DDR4-3200 記憶體性能提升 87% 左右,不過距離 DDR5-6400 效能還有點距離,還有提升的空間。

對新一代 DDR5 記憶體來說,平台支援與否才是最大問題。目前還沒有正式支援 DDR5 記憶體的平台,因此要買到內建 DDR5 記憶體的產品還要等一段時間。AMD 預計 2021 年 Zen4 架構處理器更換介面,開始支援 DDR5 記憶體,英特爾則是 14 奈米及 10 奈米製程處理器都沒有明確規劃支援 DDR5 記憶體。根據英特爾藍圖,要到 2021 年 7 奈米製程處理器 Sapphire Rapids 才開始支援 DDR5,且還是以伺服器處理器為主,消費級處理器產品預計還要再晚。

據美光之前說法,正在生產第 2 代 10 奈米級 1y 奈米製程技術的 12 Gb LPDDR4X 及 16 Gb DDR4 記憶體,未來客戶針對 DDR5 記憶體試樣完成後,將開始準備 1z 奈米產線生產,但美光尚未決定 1z 奈米產線是否導入 EUV 極紫外光科設備,而競爭對手三星已在 1z 奈米製程導入 EUV 設備。

(首圖來源:科技新報)