英特爾預計 2023 年推出 5 奈米 GAA 製程,力拚台積電 3 奈米製程

作者 | 發布日期 2020 年 03 月 11 日 19:00 | 分類 晶圓 , 晶片 , 處理器 Telegram share ! follow us in feedly


大家應該還記憶猶新的是,之前處理器龍頭英特爾(intel)財務長 George Davis 在公開場合表示,除了現在 10 奈米產能正在加速之外,英特爾還將恢復製程技術領先的關鍵部分寄望在未來更先進製程的發展上,包括英特爾將在 2021 年推出 7 奈米製程技術,並且將在 7 奈米製程的基礎上發展出 5 奈米製程。對於英特爾 5 奈米製程的發展,現在有外媒表示,在這個節點上英特爾將會放棄 FinFET 電晶體,轉向 GAA 電晶體。

根據外媒《Profesionalreview》報導表示,隨著製程技術的升級,晶片的電晶體製作也面臨著瓶頸。英特爾最早在 22 奈米的節點上首先使用 FinFET 電晶體技術,當時叫 3D 電晶體,就是將原本平面的電晶體,變成立體的 FinFET 鰭式場效電晶體,於是提高了晶片的性能,也降低了功耗。之後,FinFET 電晶體也成為全球主要晶圓廠製程發展的選擇,一直用到現在的 7 奈米及 5 奈米製程節點。

 

作為之前先進製程的領導者,英特爾之前已經提到了目前 5 奈米製程正在研發中。只是,對於製程的發展並沒有公佈詳情。因此,根據《Profesionalreview》報導,英特爾在 5 奈米節點將會放棄 FinFET 電晶體,轉向 GAA 環繞柵極電晶體。

報導強調,目前在 GAA 電晶體也有多種技術發展路線。如之前三星提到自家的 GAA 電晶體相較於第一代 7 奈米製程來說,能夠提升晶片35% 的性能,並且降低 50% 的功耗以及 45% 的晶片面積。而在三星這後起之秀,GAA 電晶體就已經有這樣的效能,而英特爾技術實力比三星強,未來英特爾在 GAA 電晶體的發展,期提升效能應該會更加明顯。

 

報導強調,如果能在 5 奈米製程節點進一步採用 GAA 電晶體,則日前英特爾財務長所強調的「英特爾將在 5 奈米製程節點重新奪回領導地位」的說法就比較可能容易實現了。至於,另一個市場競爭對手台積電,目前在 2020 年首季準備量產 5 奈米製程,依舊採用 FinFET 電晶體。但到了下一世代 3 奈米節點,目前台積電還尚未公布預計的製程方式。根據台積電官方的說法,其 3 奈米相關細節將會在 2020 年的 4 月 29 日的的北美技術論壇公布。

另外,英特爾 5 奈米製程的問世時間目前也還沒明確的時間表。不過,英特爾之前提到 7 奈米之後製程技術發展週期將會回歸以往的 2 年升級的節奏,就表示最快 2023 年能見到英特爾 5 奈米製程技術問世。

(首圖來源:Flickr/JiahuiH CC BY 2.0)