SK 海力士第 4 代 10 奈米級 EUV 技術 DRAM 預計 2021 年量產

就在當前因為市場不確定因素增加，以及武漢肺炎疫情恐將影響記憶體後續市場發展的情況下，主要記憶體廠商皆不輕易擴增產能，反而以優化製程技術的方式來增加其供應的能力。因此，根據南韓媒體報導，記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 的相關內部人士透露，該公司已開始研發第 4 代 10 奈米級製程 (1a) 的 DRAM，內部代號為「南極星」 (Canopus)，而且預計將在製程中導入 EUV 曝光技術。