SK 海力士第 4 代 10 奈米級 EUV 技術 DRAM 預計 2021 年量產

作者 | 發布日期 2020 年 06 月 01 日 16:30 | 分類 國際貿易 , 會員專區 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


就在當前因為市場不確定因素增加,以及武漢肺炎疫情恐將影響記憶體後續市場發展的情況下,主要記憶體廠商皆不輕易擴增產能,反而以優化製程技術的方式來增加其供應的能力。因此,根據南韓媒體報導,記憶體大廠 SK 海力士 (SK Hynix) 的相關內部人士透露,該公司已開始研發第 4 代 10 奈米級製程 (1a) 的 DRAM,內部代號為「南極星」 (Canopus),而且預計將在製程中導入 EUV 曝光技術。