不受摩爾定律限制,ASML 開始設計 1 奈米製程曝光設備

作者 | 發布日期 2020 年 12 月 01 日 6:00 | 分類 IC 設計 , 國際觀察 , 晶圓 line share follow us in feedly line share
不受摩爾定律限制,ASML 開始設計 1 奈米製程曝光設備


根據外媒報導,日前在日本東京舉行了 ITF(IMEC Technology Forum,. ITF)論壇。在論壇上,與荷蘭商半導體大廠艾司摩爾(ASML)合作研發半導體曝光機的比利時半導體研究機構 IMEC 正式公布了 3 奈米及以下製程的在微縮層面的相關技術細節。根據其所公布的內容來分析,ASML 對於 3 奈米、2 奈米、1.5 奈米、1 奈米,甚至是小於 1 奈米的製程都做了清楚的發展規劃,代表著 ASML 基本上已經能開發 1 奈米製程的曝光設備了。