美光積極準備 EUV 技術,爭取與三星及 SK 海力士競爭利基

作者 | 發布日期 2020 年 12 月 23 日 16:40 | 分類 Samsung , 國際貿易 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


根據南韓媒體《Etnews》報導指出,目前全球 3 大 DRAM 記憶體中尚未明確表示採用 EUV 極紫外光曝光機的美商美光(Micron),因日前徵才網站開始徵求 EUV 工程師,揭露美光也在進行 EUV 運用於 DRAM 先進製程,準備與南韓三星、SK 海力士競爭。

報導指出,美光徵才敘述是「企業內部開發 EUV 應用技術,並管理新 EUV 系統,以及與 EUV 設備製造商艾司摩爾(ASML)溝通」,工作地點就在美光總部美國愛達荷州。美光已開始生產第 3 代 10 奈米級(1z)DRAM 記憶體,預計 2021 上半年大量生產第 4 代 10 奈米級(1a)DRAM 記憶體。與競爭對手三星、SK 海力士不同的是,美光不打算將 EUV 技術運用在第 4 代 10 奈米級 DRAM 記憶體,而是未來第 7 代 10 奈米級(1d)DRAM 記憶體。

記憶體與 CPU 邏輯製程一樣,近年面臨製程需微縮的問題。如果使用 EUV 曝光技術,可減少多重曝光過程,提供更細微的製程精度與良率,進一步減少產品生產時間並降低成本,還可提高效能。只是 EUV 曝光設備每部單價近 1.5 億歐元,初期投資成本較深紫外光曝光設備(DUV)高許多,因此會讓廠商考慮再三。美光先前就是因成本考量,加上採用 DUV 設備打造的 DRAM 符合市場需求,因此時程落後三星及 SK 海力士。

目前三星已在第 3 代 10 奈米級 DRAM 記憶體生產導入 EUV 技術,且還預計 2021 年發表第 4 代 10 奈米級的 DRAM 記憶體生產增加 EUV 技術。至於 SK 海力士則將在 2021 年量產第 4 代 10 奈米級 DRAM 記憶體導入 EUV 技術,目前 SK 海力士也分批導入 EUV 設備,預計在京畿道利川市的新 DRAM 工廠建立 EUV 技術產線。

相較兩家競爭對手已導入或正導入 EUV 技術,美光顯然落後。外界解讀這次美光招聘 EUV 工程人員,目的在於先研究 EUV 運作技術,以在未來正式推出相關技術的產品。因市場預期記憶體市場將逐漸迎接正循環週期,美光也藉此儲備未來市場競爭的最佳能量。

(首圖來源:科技新報攝)