質疑對手技術領先,三星將公開 10 奈米級製程 DRAM 電路線寬應戰

作者 | 發布日期 2021 年 05 月 06 日 21:10 | 分類 Samsung , 國際觀察 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


先前媒體報導,仍在 DRAM 市占領先全球的南韓大廠三星,競爭對手持續精進技術,甚至宣布超越三星推出新一代技術產品後,三星開始擔心失去全球龍頭位置。南韓媒體《BusinessKorea》報導,三星準備打破 DRAM 業界傳統,將公布 DRAM 產品電路線寬,以顯示三星技術在對手競爭下持續維持領先。

報導指出,DRAM 的電路線寬被業界認定是衡量半導體記憶體公司技術能力的重要指標,原因是 DRAM 的電路線寬越窄,功率效率就越高。牽涉技術機密情況下,過去 DRAM 業界傳統就是不明確公開產品確切電路線寬。隨著 DRAM 製程技術 2016 年進入 10 奈米級製程,DRAM 製造商普遍共識避免過去參與相關技術與市場的惡性競爭。進入 10 奈米級製程後,DRAM 製造商要將電路線寬縮小 1 奈米,就需 2~3 年研發時間,如此長時間與成本投入,也代表透過技術議題行銷的效果並不大。

基於以上因素,過去 5~6 年,全球 DRAM 製造商從未確實發表 DRAM 產品電路線寬數字。這也是 DRAM 產業普遍將 2016 年推出的 10 奈米級製程歸類為第一代 1x 奈米製程,將 2018 年推出的 10 奈米級製程歸類為第二代 1y 奈米製程,以及在同一年推出的 10 奈米級製程歸類為第三代 1z 奈米製程,之後於 2021 年初問世問世的第四代 10 奈米級製程,稱為 1a 奈米製程的原因。

DRAM 廠商普遍將 10 奈米級製程以 1x 奈米製程、1y 奈米製程、1z 奈米製程等稱呼,所以很難清楚確認三星 1z 奈米製程 DRAM 和 SK 海力士的 1z 奈米製程 DRAM 電路線寬差異。三星決定放棄傳統打「模糊戰」方式,預計公布旗下各 10 奈米級製程 DRAM 電路線寬,代表三星對本身製程很有信心,面對對手的競爭。

三星表示,將在 2021 下半年大量生產 1a 奈米製程 DRAM,電路線寬就是 14 奈米。三星是全球第一家 2016 年初開始大量生產第一代 1x 奈米製程 DRAM 的公司,量產時間當時領先競爭對手 SK 海力士和美光約半年到一年。即使到 2019 年開發出 1z 奈米製程 DRAM 前,即使三星沒有詳細公布 DRAM 電路線寬,也沒人否認三星擁有 DRAM 產業最好的技術。

以上業界習以為常的情況,終於在第四代 1a 奈米製程 DRAM 產品打破。全球第三大 DRAM 製造商美商美光 (Micron)2021 年 1 月意外宣布,開發出全球首個且大量生產的 1a 奈米製程 DRAM,使美光技術發展一口氣領先龍頭三星。三星主管 DRAM 的 DS 業務高層表示憂心與不滿,因三星認為過去生產的 1x、1y 和 1z 奈米製程 DRAM 性能遠優於競爭對手,如今技術被超越是很大衝擊,於是懷疑美光宣稱的 1a 奈米製程 DRAM 實際情況。

報導強調,三星不僅懷疑美光誇大宣稱 1a 奈米製程 DRAM 效能,且至今還沒看到美光發表產品照片,也質疑 1a 奈米製程 DRAM 是否真可大規模量產。三星決定明確公布各代 10 奈米級製程 DRAM 電路線寬數字,除了代表以真正實力面對競爭對手挑戰,更希望能鞏固 DRAM 龍頭寶座。

(首圖來源:三星)