三星宣布 2022 年底前量產 8 層 TSV 技術堆疊 DDR5 記憶體

作者 | 發布日期 2021 年 08 月 26 日 17:40 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


外電報導,南韓三星電子 23 日舉行的全球半導體產業會議 Hotchips 33 時表示,將於 2022 年底量產 8 層堆疊 DDR5 記憶體。

南韓媒體《THEELEC》報導,南韓三星電子將於 2022 年底量產 8 層堆疊 DDR5 記憶體。使用矽通孔 (TSV) 技術,將 512GB DDR5 記憶體模組堆疊起來。三星已生產 4 層堆疊,並採用 TSV 技術整合 DDR4 記憶體模組的記憶體,晶片厚度僅 1.2 公釐。

報導引用三星說法,儘管可堆疊到 8 層,但整個 DDR5 記憶體仍比 1 公釐更薄。與 DDR4 記憶體相較,新 DDR5 記憶體具更好散熱功能,這要歸功於新型材料應用。三星模組也採用自己開發的新款電源管理 IC 降低噪音,有優秀的功耗性能。

三星新 8 層堆疊 DDR5 記憶體將有 7.2Gbps 資料傳輸速度,還應用稱為決策回饋均衡器技術,提升數據傳輸速率,並保訊號穩定。三星強調,新記憶體模組將以資料中心伺服器市場需求為主要供應對象。

(首圖來源:shutterstock)

關鍵字: , , , ,