三星宣布 2022 年底前量產 8 層 TSV 技術堆疊 DDR5 記憶體 作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 08 月 26 日 17:40 | 分類 Samsung , 會員專區 , 記憶體 | edit 外電報導,南韓三星電子 23 日舉行的全球半導體產業會議 Hotchips 33 時表示,將於 2022 年底量產 8 層堆疊 DDR5 記憶體。 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: DDR5 , dram , 三星 , 半導體 , 記憶體