英飛凌:碳化矽擴張時點比預期更接近

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 06 日 9:30 | 分類 材料、設備 , 零組件 line share follow us in feedly line share
英飛凌:碳化矽擴張時點比預期更接近


日經亞洲評論 6 日報導,羅姆(Rohm Co.)策略長 Kazuhide Ino 表示,晶片製造商已從攜手打造碳化矽(SiC)市場進入相互競爭階段。法國市場研究機構 Yole Developpement 預估,2026 年 SiC 電源晶片市場規模將較 2020 年成長 6 倍達 44.8 億美元。

德國晶片製造商英飛凌(Infineon Technologies)6月推出的電動車(EV)逆變器SiC模組將應用在現代汽車(Hyundai Motor)次世代EV。與矽相比,這些晶片據悉可讓EV續航里程增加5%以上。日本英飛凌經理表示,SiC擴張時間點顯然比預期更加接近。

英飛凌2日創2001年5月28日以來收盤新高,3日下跌0.40%,收36.95歐元。

意法半導體2日創2001年1月31日以來收盤新高,3日下跌0.11%,收44.88美元。

羅姆8月6日宣布與中國汽車製造商吉利汽車集團建立策略夥伴關係。吉利計劃透過羅姆的先進SiC功率解決方案延長電動車續航里程、降低電池成本並縮短充電時間,內建羅姆碳化矽功率元件的電控系統將被應用於吉利正在開發的純電動車平台。

羅姆位於德國紐倫堡的生產設施SiCrystal向全球市場供應碳化矽晶圓。

羅姆3日上漲3.12%,收11,230.00日圓,創4月22日以來收盤新高,今年以來上揚12.41%。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:英飛凌

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