搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵，不同世代半導體的消長與共存
作者 | 發布日期 2021 年 09 月 22 日 9:15 | 分類 IC 設計 , 封裝測試 , 晶圓 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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搞懂第三代半導體與前兩代的差異關鍵，不同世代半導體的消長與共存

隨著全球進入 IoT、5G、綠能、電動車時代，能徹底展現耐高壓、高溫、高頻能耐，並滿足當前主流應用對高能源轉換效率要求的寬能隙（Wide Band Gap，WBG）半導體開始成為市場寵兒，半導體材料於焉揭開第三代半導體新紀元的序幕。 

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