三星宣布以 EUV 曝光技術生產的 14 奈米製程 DRAM 開始量產

作者 | 發布日期 2021 年 10 月 12 日 14:40 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


南韓記憶體大廠三星 12 日宣佈,正式量產以極紫外(EUV)曝光技術生產 14 奈米製程 DRAM。這是三星繼 2020 年 3 月出貨首款採 EUV 曝光技術的 DRAM 後,藉 EUV 曝光層數增加至 5 層,為 DDR5 規格 DRAM 提供更優質解決方案。

南韓媒體報導,三星高層表示,透過發展關鍵圖像化技術,三星近 3 年持續領導全球 DRAM 市場,正透過建立多層 EUV 曝光技術,達成技術里程碑,使 DRAM 在 14 奈米製程極致化,傳統 ArF 製程技術無法達到。在此基礎上,三星將繼續為 5G、AI 和虛擬世界需要更高性能和更大容量的資料提供效能,具備差異化記憶體解決方案。

三星 14 奈米製程 DRAM 添加 5 層 EUV 曝光技術,達成超高單位密度的產品生產目標,同時將整體晶圓的生產率提高約 20%。與上一代 DRAM 相比,14 奈米製程 DRAM 有助降低近 20% 功耗。據最新 DDR5 標準,三星 14 奈米製程 DRAM 可有 7.2Gbps 超高傳輸速度,是前代 DDR4 最高傳輸速度 3.2Gbps 兩倍多。

三星計畫擴展 14 奈米製程的 DDR5 DRAM 產品組合,支援資料中心、超級電腦和企業伺服器應用。三星預計 14 奈米製程 DRAM 晶片密度增加到 24Gb,以滿足全球 IT 系統快速成長數據的需求。

(首圖來源:Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0)

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