南韓記憶體大廠三星 12 日宣佈，正式量產以極紫外（EUV）曝光技術生產 14 奈米製程 DRAM。這是三星繼 2020 年 3 月出貨首款採 EUV 曝光技術的 DRAM 後，藉 EUV 曝光層數增加至 5 層，為 DDR5 規格 DRAM 提供更優質解決方案。
南韓媒體報導，三星高層表示，透過發展關鍵圖像化技術，三星近 3 年持續領導全球 DRAM 市場，正透過建立多層 EUV 曝光技術，達成技術里程碑，使 DRAM 在 14 奈米製程極致化，傳統 ArF 製程技術無法達到。在此基礎上，三星將繼續為 5G、AI 和虛擬世界需要更高性能和更大容量的資料提供效能，具備差異化記憶體解決方案。
三星 14 奈米製程 DRAM 添加 5 層 EUV 曝光技術，達成超高單位密度的產品生產目標，同時將整體晶圓的生產率提高約 20%。與上一代 DRAM 相比，14 奈米製程 DRAM 有助降低近 20% 功耗。據最新 DDR5 標準，三星 14 奈米製程 DRAM 可有 7.2Gbps 超高傳輸速度，是前代 DDR4 最高傳輸速度 3.2Gbps 兩倍多。
三星計畫擴展 14 奈米製程的 DDR5 DRAM 產品組合，支援資料中心、超級電腦和企業伺服器應用。三星預計 14 奈米製程 DRAM 晶片密度增加到 24Gb，以滿足全球 IT 系統快速成長數據的需求。
(首圖來源：Flickr/Insider Monkey CC BY 2.0)
