力拚台積電押寶 3 奈米 GAAFET 技術,三星 3 年內良率成關鍵 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 06 月 20 日 14:45 | 分類 IC 設計 , Samsung , 晶圓 | edit Loading... Now Translating... 南韓媒體表示,南韓三星計劃 3 年內建立 GAAFET 技術 3 奈米節點 ,成為晶圓代工業界的遊戲規則破壞者,追上全球晶圓代工龍頭台積電。 文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡? 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: FinFET , GAAFET , 三星 , 台積電 , 晶圓代工