三星計劃 2 奈米製程加入背後供電技術,以領先台積電 作者 Atkinson | 發布日期 2022 年 10 月 18 日 12:00 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶圓 | edit Loading... Now Translating... 與台積電競爭之路,三星大絕盡出。除了 3 奈米導入全新 GAAFET 全環繞柵極電晶體架構,已成功量產,照三星半導體藍圖分析,2025 年大規模量產 2 奈米,更先進 1.4 奈米預定 2027 年量產。 文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡? 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: BSPDN , FinFET , GAAFET , MBCFET , 三星 , 台積電 , 背後供電