imec 與 ASML 簽定備忘錄，強化 high-NA EUV 合作

比利時微電子研究中心（imec）及艾司摩爾（ASML）今日宣布，開發最先進高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）微影試驗製程的下一階段強化合作。

Imec 表示，目標是協助採用半導體技術的所有產業了解先進半導體技術契機，並提供未來支援創新的原型設計平台。imec、艾司摩爾及其他夥伴建立的合作能探索創新半導體應用，還可能為晶片製造商及終端使用者開發永續的前瞻製造方案，同時攜手設備及材料生態系統發展尖端圖形化完整製程。

合作備忘錄（MoU）含 imec 比利時魯汶實驗製程提供先進微影及量測設備的全套安裝及維護，最新型 0.55 NA EUV 設備 TWINSCAN EXE:5200 系統、新型 0.33 NA EUV 設備 TWINSCAN NXE:3800 系統、浸潤式深紫外光（DUV）設備 TWINSCAN NXT:2100i、Yieldstar 光學量測系統和 HMI 多光束檢測系統。此次合作對先進實驗製程意義非凡。

為了開發新一代 AI 系統等高性能節能晶片，高數值孔徑技術是必需，還能實現創新深度技術（deep-tech）解決方案，解決社會健康照護、營養學、交通汽車、氣候變遷和永續能源等主要挑戰。為了確保業界 2025 年後進入高數值孔徑極紫外光微影技術，並保留歐洲先進製程研發力，重大投資不可或缺。

合作備忘錄為 imec 和艾司摩爾高數值孔徑極紫外光下階段緊密合作揭開序章，第一階段製程在雙方共用實驗室進行，採用世界首台高數值孔徑極紫外光曝光機 TWINSCAN EXE:5000 系統。Imec 和艾司摩爾、各大晶片製造商、材料和設備生態系統夥伴合作，以量產時最快導入技術為共同目標準備。下階段將在 imec 比利時魯汶實驗製程加速推展，採用新高數值孔徑曝光機 TWINSCAN EXE:5200 系統。

此次半導體業兩位要角微影與量測強化合作，與歐盟及成員國願景計畫一致，即歐洲共同利益重要計畫（IPCEI）的晶片法案（Chips Act），強化創新，解決社會挑戰。imec 與艾司摩爾合作納入 IPCEI 提案，正由荷蘭政府審查。

艾司摩爾執行長 Peter Wennink 表示，艾司摩爾持續投注大量心力至 imec 最先進實驗製程，驅動歐洲半導體研究和永續創新。隨著人工智慧（AI）技術快速擴展到自然語言處理、電腦視覺和自動系統等領域，開發複雜度也不斷攀升。開發滿足運算需求的晶片技術至關重要，同時還得不耗費地球珍貴（能源）資源。

Imec 執行長 Luc Van den hove 表示，艾司摩爾此次承諾奠基於超過 30 年的成功合作經驗，彰顯發展奈米級以下晶片的堅持精神，也證明晶片產業團結的實力。儘管合作能強化區域實力，但未來也能推動全球合作，促使國際夥伴從區域開發突破獲益。透過共同努力，才能真正加速創新，並推動半導體產業達新高峰。

(首圖來源：imec)