台積電以不超過 4.328 億美元額度，取得英特爾旗下 IMS 事業（奧地利商艾美斯電子束科技）10% 股份，預計第四季完成交易，推動 EUV（極紫外光）先進曝光技術的創新。業界持正面看法，而韓媒認為這將加劇 2 奈米製程的競爭狀況。
韓媒 Business Korea 對於台積電這次收購感到吃驚，因為 IMS 是開發 EUV 設備所需的多光束光罩寫入工具的領導廠商，市占率達 98%；該公司生產的多光束光罩寫入工具能更精確、快速地刻制光罩，有效改變半導體業的遊戲規則。
業界人士甚至認為，如果沒有 IMS 設備，ASML 的 EUV 曝光機恐毫無用處，而台積電與英特爾合作似乎是期待 ASML 下一代 High-NA EUV 微影曝光設備。隨著曝光設備在 7 奈米以下製程的重要性不斷增加，台積電打算深化現有的技術合作。
天風國際證券分析師郭明錤則認為，台積電 Arm 與 IMS 這兩筆投資主要目的為提高垂直整合能力，確保從目前 3 奈米的 FinFET 技術能順利轉換到 2 奈米的 GAA 技術。其中，投資 IMS 則可確保關鍵設備的技術開發與供應能滿足 2 奈米商用化的需求。
英特爾 2009 年投資 IMS，2016 年收購剩餘股份，今年 6 月則釋出 20% 股份給貝恩資本（Bain Capital）。
至於緊追在台積電身後的三星，曾於 2012 年以 7,000 億韓圜收購 ASML 3% 股份，以合作未來的曝光機開發；但到 2016 年，三星以收回投資為由出售一半 ASML 股份，截至今年第二季末，三星僅保留 0.7% 股份。
但儘管如此，產業專家認為三星和 ASML 的合作關係仍相當牢固，據了解，三星正準備確保下一代 EUV 微影曝光設備 High-NA 的產量，預計這款設備將於今年晚時推出原型，明年正式供貨。
報導預計，SK 海力士、台積電和英特爾都將加入下代曝光設備的競爭；另一方面，2 奈米製程競爭也不斷升級。台積電去年宣布已準備試產 2 奈米產品，以維持領先地位，三星則計劃利用 GAAFET 技術來彎道超車，隨著英特爾和 Rapidus 也加入 2 奈米戰局，先進製程競爭將更加激烈。
（首圖來源：ASML）
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