為維持 HBM 領先地位，SK 海力士加速「混合鍵合」（Hybrid Bonding）開發，能否應用也成為業界焦點。
韓媒 Business Korea 報導，韓國產業官員 18 日透露，SK 海力士今年度 IEEE 國際電子元件會議（IEDM 2023）宣布，確保 HBM 製造時使用混合鍵合製程的可靠性。
SK 海力士報告，第三代 HBM（HBM2E）採八層堆疊 DRAM，使用混合鍵合製程後，通過所有可靠性測試；SK 海力士也評估 HBM 高溫下使用壽命，檢查產品出貨後客戶晶片黏合時可能的潛在問題。
混合鍵合視為 HBM 產業的「夢幻製程」，目前使用微凸塊（micro bumps）材料連接 DRAM 模組，但混合鍵合技術晶片可不使用凸塊下連接，微凸塊消失後就能大幅降低晶片厚度。
HBM 晶片標準厚度為 720µm，SK 海力士預估 2026 年量產第六代 HBM（HBM4）需要垂直堆疊 16 個 DRAM，對目前封裝技術是大挑戰，業界認為下代 HBM 製程必然使用混合鍵合製程。
SK 海力士已經打算將混合鍵合技術應用至 HBM4 產品，雖然這次是第三代產品測試，規格比 HBM4 低，DRAM 層數也只有一半，但展示混合鍵合的潛力極具意義。
SK 海力士今年第五代 HBM 率先導入 MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）製程，以維持 HBM 的領先地位。
（首圖來源：shutterstock）
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