半導體核心技術外流中國,韓研議提高相關刑責

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 04 日 9:45 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 line share follow us in feedly line share
半導體核心技術外流中國,韓研議提高相關刑責


韓國以半導體技術做為尖端科技產業核心,在經濟、國防等各領域都具有重要地位,有鑑於近年核心技術外流至中國案例不斷,韓國大法院量刑委員會正研議提高相關刑責。

韓國半導體大廠三星電子不久前傳出員工與關係廠商向中企洩漏核心技術而蒙受天價損失,涉嫌在2016年向中國長鑫存儲(CXMT)提供18奈米DRAM製程情報的金姓與方姓嫌犯3日遭韓國檢方起訴。

據調查,金姓嫌犯2016年跳槽到長鑫存儲時,將三星電子的蒸鍍相關資料及7個核心製程技術資料流出,藉此獲得數百億韓圜收入,並以稅後超過5億韓圜的金額,從三星電子及相關廠商挖角20多名技術人員。

方姓嫌犯做為供應三星電子半導體設備的廠商高層,與金嫌合謀將所屬公司擁有的設計技術資料洩漏給長鑫存儲。

在這起案件曝光的半年前,一名三星電子常務也涉嫌收受中資,意圖在中國境內建設「復刻版」三星電子半導體廠,當時推算至少讓三星電子損失3,000億韓圜(約新台幣73億元)。

韓媒Herald經濟報導,對於層出不窮的專利技術外流案件,特別是涉及國家核心技術部分,韓國大法院量刑委員會表示,將智慧財產權犯罪量刑標準修正列為優先工作之一,正在進行修正程序。

韓國警方向量刑委員會提出的建議書提到,技術外流所造成的損失嚴重性與損失規模推算困難,這類案件犯嫌通常只會得到相對輕微的處罰,認為有必要提高量刑標準;警方在2021年至2022年送檢的193件營業秘密侵害案件中,沒有任何人為此坐牢。

檢方則指出,目前量刑標準僅將技術外流類型分為在國內流出或向他國流出,建議應依嚴重性至少細分為5到6種標準。

三星電子等業者內部當然也不斷強化相關規定及措施,以保護自家商業機密,不過,業界人士指出,無論企業如何努力但仍不斷發生這類案件,顯示各種防止資訊外流、提高處罰強度等單方面措施並不足以完全防範,最終仍只能依靠員工個人道德及守法意識。

(作者:廖禹揚;首圖來源:shutterstock)

延伸閱讀: