傳斥資 40 億美元美國建先進封裝廠，SK 海力士：尚未決定

《華爾街日報》報導，韓國記憶體大廠 SK 海力士欲投資約 40 億美元 (約新台幣 1,263 億元) 在美國印第安那州西拉斐特蓋先進晶片封裝廠，並 2028 年投產。SK 海力士最新聲明，正在審查美國先進晶片封裝計畫，但尚未決定。

知情人士告訴《華爾街日報》，SK 海力士董事會很快就會批准，推動美國政府恢復半導體製造大國領先地位的雄心，晶片封裝廠完成後，可創造約 800~1,000 個職缺。

公開資料顯示，SK 海力士封裝廠毗鄰普渡大學，普渡大學是美國最大半導體和微電子工程計畫所在地。SK 海力士還考慮過亞利桑那州，但亞利桑那州已有台積電和英特爾廠，且從普渡大學就可獲半導體工程師人才的優勢，SK 海力士最終選擇印第安那州。

先進封裝是拜登政府晶片法 (U.S. Chips Act) 其中一環，機構 SemiAnalysis 說法，SK 海力士工廠有望成為全美第一座 HBM 大規模封裝廠。SemiAnalysis 最新預測，SK 海力士 HBM 位元市占約 73%，三星 (Samsung Electronics) 居次約 22%，美光 (Micron) 第三約 5%。

(首圖來源：shutterstock)