ASML 預定 2030 年供應 Hyper-NA EUV，能否商業化關鍵就是成本

荷蘭商艾司摩爾 (ASML) EUV 曝光機為先進半導體生產關鍵，ASML 有序執行藍圖，首階段是標準 EUV 後迎接 High-NA EUV，去年底 ASML 就交貨英特爾首套 High-NA EUV。ASML 上週又證實，年底交貨台積電 High-NA EUV。半導體業剛準備邁入 High-NA EUV 時代，ASML 又開始研究下代機台 Hyper-NA EUV，尋找合適解決方案。

EETimes 報導，ASML 公布下代機台 Hyper-NA EUV 藍圖，目前為開發早期階段。ASML 前技術長 Martin van den Brink 5 月 imec ITF World 演講表示，長遠來說，Hyper-NA EUV 需改進光源系統，須採 Hyper-NA 基礎，同時還需將所有系統生產效率提升到每小時 400~500 片晶圓。

ASML 計劃 2030 年推出 Hyper-NA EUV，數值孔徑達 0.75。High-NA EUV 數值孔徑 0.55，標準 EUV 是 0.33。精確度提高，可有更高解析度圖案化及更小電晶體特徵。對 ASML 而言，Hyper-NA 技術還能推動整體 EUV 平台，改善成本和交貨時間。

Hyper-NA EUV 一定會遇到新挑戰，如光阻劑要更薄。照 imec 圖案化專案總監 Kurt Ronse 說法，High-NA EUV 應可包括 2~1.4 奈米節點，再到 1~0.7 奈米節點，之後由 Hyper-NA EUV 接續。

2022 年接受媒體採訪時，Martin van den Brink 表示，ASML 研究 Hyper-NA EUV 主要目標是提出智慧解決方案，成本和可製造性方面都保持可控。Martin van den Brink 擔心成本核可製造性代價可能高得驚人，如果製造成本成長速度與 High-NA EUV 一樣，商業化從經濟面看幾乎不可行。