突破美國制裁封鎖，華為與武漢新芯合作開發 HBM 挑戰市場
作者 | 發布日期 2024 年 07 月 02 日 8:50 | 分類 中國觀察 , 半導體 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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突破美國制裁封鎖，華為與武漢新芯合作開發 HBM 挑戰市場

韓國朝鮮日報報導，中國華為計劃與記憶體廠武漢新芯合作製造高頻寬記憶體（HBM），正在發展 CoWoS 的江蘇長電科技和通富微電子也有參與。華為開始研發 HBM，顯示華為積極突破美國制裁。

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