媒體報導，先前市場消息指出，台積電已經於 2024 年 9 月份從荷蘭半導體設備商艾司摩爾 (ASML) 接收首套高數值孔徑 (High-NA) 極紫外線 (EUV) 曝光機-EXE:5000。這代表著台積電對這項先進半導體技術不斷變化的立場，從一開始持謹慎，到後來全面發展採用，為的就是保持其在競爭激烈的半導體產業中維持領先地位，也因應 AI 晶片對先進製程需求的快速成長。
根據外媒 techspot 的報導指出，採用 High-NA EUV 曝光機對於台積電開發 2 奈米以下製程至關重要。因為 High-NA EUV 曝光機將數值孔徑從 0.33 增加到 0.55，可以進一步在晶圓上達到更高解析度，且更為精確的圖像化作業。而根據台積電的規劃，High-NA EUV 曝光機將導入其 A14 節點 ( 1.4 奈米) 的製程當中，而該製程也預計於 2027 年進入量產階段。
目前，這些先進的曝光機不會立即投入運作，因為在將其整合到大量生產之前，需要進行嚴格的測試、微調和製程優化。至於，在這些曝光機全面投入運作時，台積電預計將發展到其 A10 節點 (1 奈米) 的製程，這代表著超越其當前能力的幾代技術，此時間表也與台積電發展晶片製程的廣泛路線一致。
報導表示，在台積電 2024 年第三季法說會上，財務長黃仁昭概述了該公司的先進製程節點開發計畫。表示台積電將在 2026 年更新 N2 製程，這使得更新 N2 製程會有一些準備成本。而隨著台積電發展每個先進製程節點，這種準備成本將變得越來越大。
報導強調，每套 High-NA EUV 曝光機的價格約為 3.84 億美元。儘管如此，台積電在 EUV 曝光機的技術領先地位，預計仍將吸引更多尋求先進晶片製造能力的高階客戶前來下單。這可能會進一步拉大台積電與其競爭對手之間的差距，尤其是韓國三星電子。因為，台積電已經憑藉目前標準孔徑的 EUV 技術奠定堅實的基礎。
其中，台積電在 2019 年正式推出了採用 EUV 製程的 N7+ 節點製程，當時約運作了 10 套標準的 EUV 曝光機。此後，台積電迅速擴大了其 EUV 生產能力，這也使得 EUV 系統銷量在 2019 年至 2023 年間成長了十倍。目前，台積電占全球 EUV 曝光機安裝數量的 56%。持續將其利用在包括 N5、N3，以及接下來的 N2 節點製程中。
台積電採用 EUV 的方法是系統化，且以客戶為中心的。該公司根據新技術創新的成熟度、成本和潛在的客戶利益對其進行仔細評估，然後再將其整合到大規模生產中。因此，台積電計劃首先導入 High-NA EUV 曝光機用於研發，以開發客戶推動創新所需的相關基礎設施和圖案解決方案，之後再進一步滿足客戶的相關需求。
(首圖來源：科技新報攝)
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