傳 SK 海力士改採台積電 3 奈米產 HBM4，三星考慮跟進

市場謠傳，SK海力士（SK Hynix）將應重要客戶要求，於明（2025）年下半以 3 奈米生產客製化的第六代高頻寬記憶體（HBM）「HBM4」，而非原定的 5 奈米製程。

《韓國經濟新聞》3日引述半導體業界消息報導了上述消息。SK海力士已決定跟晶圓代工龍頭台積電合作開發HBM4，而主要出貨的客戶是輝達（Nvidia Corp.）。

消息人士透露，SK海力士最快明年3月就會發布一款採3奈米基礎裸晶（base die）的垂直堆疊HBM4原型。輝達繪圖處理器（GPU）目前是基於4奈米HBM。基礎裸晶位於連結GPU的HBM底部，作用形同晶片頭腦。堆疊在3奈米基礎裸晶的HBM，效能有望較5奈米HBM4提升20~30%。

SK海力士運用3奈米裸晶生產HBM4，有望進一步擴大跟對手三星電子（Samsung Electronics Co.）的差距。三星計劃運用旗下4奈米製程生產HBM4。

爆料人士@Jukanlosreve 3日透過社交平台X指出，SK海力士之所以改以台積電3奈米技術製造HBM4、是為了回應三星以4奈米生產HBM4的聲明。結果，三星如今也考慮以3奈米生產HBM4，甚至可能選用台積電的3奈米技術。

SK Hynix has shifted its original plan to use TSMC’s 5nm process for HBM4 and will now adopt TSMC’s 3nm process instead.

This move is a response to Samsung’s announcement of using a 4nm process for HBM4.

As a result, Samsung is also considering producing HBM4 dies using a 3nm…

— Jukanlosreve (@Jukanlosreve) December 3, 2024