美光交貨 1γ 製程 DRAM 樣品，僅一層 EUV 減少依賴

記憶體大廠美光（Micron）發表 1γ（gamma）先進製程後，2 月送樣給英特爾（Intel）和 AMD 等客戶 1γ（gamma）DDR5，為記憶體第一家達成里程碑的企業。

韓媒朝鮮日報報導，美光送樣 1γ（gamma）DDR5，只用一層極紫外光（EUV）微影曝光設備，因美光計畫減少 EUV 使用，加速量產先進製程 DRAM，降低成本。

美光選擇減少依賴 EUV，轉用成熟氬氟浸沒式光刻（ArFi）製程。ASML 資料顯示，下代深紫外光刻（DUV）系統為 193 奈米波長氬氟鐳射，可達成 38 奈米特徵尺寸圖案化。EUV 為 13.5 奈米波長光，精確度更高，但成本也更高。

美光表示，EUV 技術未完全穩定，僅必要時使用。短期可能提升生產速度，但長期會影響晶片良率和性能。韓國記憶體大廠三星和 SK 海力士 DRAM 則更依賴 EUV，三星 2020 年起就採用 EUV，第六代 1C 10 奈米級 DRAM 使用超過五個 EUV 微影曝光層。SK 海力士 2021 年導入 EUV，下代 1C 10 奈米級 DRAM 也是類似策略。

美光減少依賴 EUV 短期可節省成本，但長期會面臨技術瓶頸。市場人士指出，ArFi 製程需更多步驟，可能導致良率下降，EUV 層數增加，超過三層後技術難度也顯著增加。

(首圖來源：美光)