隨著 AI 伺服器與高效能運算（HPC）需求持續升溫，半導體晶片的功耗正快速向千瓦（kW）等級邁進，使「供電效率」與「電源完整性」成為先進封裝技術的新戰場。根據經濟日報引用供應鏈消息指出，晶圓代工大廠聯電近年積極布局的嵌入式深溝槽電容（DTC）技術已成功打入手機處理器大廠高通（Qualcomm）供應鏈，相關產品並已開始出貨，在先進封裝領域取得重大進展。
報導指出，隨著AI晶片運算能力大幅提升，GPU、AI加速器及邊緣AI晶片對「瞬時供電」的要求愈來愈高，傳統封裝架構已難以滿足低雜訊、高效率的電源管理需求。而DTC技術的核心在於將高密度電容內嵌於矽中介層（Interposer）或先進封裝基板中，此舉能大幅縮短供電路徑、降低寄生效應與電源雜訊，進而提升晶片運作的穩定度與效能表現。
目前，DTC已成為國際大廠發展先進封裝的關鍵技術，包含台積電的CoWoS及英特爾的EMIB等高階封裝平台，均積極導入該技術以解決AI晶片功耗攀升帶來的挑戰。而目前國內除了聯電之外，記憶體大廠華邦電也在積極發展該技術。
針對相關消息報導，聯電官方表示對單一客戶不予評論，但強調先進封裝是集團持續積極強化的技術領域。業界點出，聯電開發DTC技術多年且已具備量產能力，此次成功切入高通供應鏈，看好聯電將能順勢搭上邊緣AI裝置快速成長的列車；未來包含AI PC、智慧手機、智慧眼鏡及各式終端裝置，皆可望成為DTC技術的重要應用場域。
另外，法人分析也指出，聯電近年在鞏固成熟製程市場地位的同時，也積極透過特殊製程與先進封裝周邊技術來提升產品的附加價值。以DTC技術為例，其具備技術門檻高、客戶驗證周期長等特性，一旦成功導入客戶平台，供應關係通常會維持相對穩定，將有助於挹注聯電長期的營運動能。整體而言，聯電此次斬獲高通訂單，充分凸顯了其在特殊製程與先進封裝關鍵元件領域的技術實力。
(首圖來源：聯電)
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