新能源車 SiC-MOSFET 發展分析

SiC-MOSFET 在耐高壓高溫、開關頻率等新能源車重視的關鍵參數表現皆優於 Si-IGBT，晶片面積也僅 Si-IGBT 20%，組成模組與電控零件後可大幅降低體積和重量，即使加上提早「強推」SiC-MOSFET 裝車的高成本代價，也比靠增加電池數量提升續航力的成本效益表現更佳。電控零件體積縮小也形成許多附加價值，如節省空間、更高整合度系統設計的可能、提高生產效率等。