中國長鑫存儲自研 LPDDR5 完成，與三星技術落差縮短到四年
作者 | 發布日期 2023 年 12 月 01 日 8:00 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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中國長鑫存儲自研 LPDDR5 完成，與三星技術落差縮短到四年

就在日前中國 DRAM 廠長鑫儲存（CXMT）傳出已完成自主研發，並且開始量產 LPDDR5 DRAM 記憶體晶片的消息之後，引起韓國業界的震撼。因為一旦消息屬實，這一進展將使中國的 DRAM 技術僅落後韓國三星四年的時間。

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