GAA 剛量產，英特爾、三星、台積電就展示下代 CFET 架構
作者 | 發布日期 2023 年 12 月 21 日 10:30 | 分類 IC 設計 , Samsung , 半導體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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GAA 剛量產，英特爾、三星、台積電就展示下代 CFET 架構

日前 IEEE IEDM 國際電子元件會議，英特爾、台積電和三星都展示 CFET 電晶體解決方案，堆疊式 CFET 架構電晶體將 n 和 p 兩種 MOS 元件堆疊在一起，未來將取代 GAA（Gate-All-Round）成新電晶體設計，以使密度翻倍。

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